长鑫存储技术有限公司申松梅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、埋入式字线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310316737.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、埋入式字线是由申松梅;杨琪设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、埋入式字线在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、埋入式字线结构，半导体结构包括衬底、沟槽、第一介质层、第一导电层、第二导电层、目标侧墙及第三导电层，衬底内包括间隔分布的掺杂区；沟槽位于掺杂区之间且底面不高于掺杂区的底面；第一介质层覆盖沟槽的侧壁及底面；第一导电层位于沟槽底部的第一介质层的表面且顶面不高于掺杂区的底面；第二导电层位于第一导电层的顶面且顶面低于掺杂区的顶面；目标侧墙位于第二导电层的顶面，且覆盖第一介质层的部分侧表面；第三导电层位于第二导电层的顶面，第三导电层的顶面高于掺杂区的底面且低于目标侧墙的顶面。该半导体结构可以提高驱动电流并降低栅极泄露电流，提高半导体结构的读写速度及可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法、埋入式字线在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底，所述衬底内包括间隔分布的掺杂区； 沟槽，位于所述掺杂区之间且底面不高于所述掺杂区的底面； 第一介质层，覆盖所述沟槽的侧壁及底面； 第一导电层，位于所述沟槽底部的所述第一介质层的表面且顶面不高于所述掺杂区的底面； 第二导电层，位于所述第一导电层的顶面且顶面低于所述掺杂区的顶面； 目标侧墙，位于所述第二导电层的顶面，且覆盖所述第一介质层的部分侧表面； 第三导电层，位于所述第二导电层的顶面，所述第三导电层的顶面高于所述掺杂区的底面且低于所述目标侧墙的顶面； 所述第二导电层的厚度为第一预设厚度，所述第一预设厚度小于所述第一导电层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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