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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310327795.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由单义博;杜晓征;赵平设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有阵列排布的多个接触孔和限定多个接触孔的限定结构，限定结构包括位于至少两个相邻的接触孔之间的第一限定部，第一限定部的材料为具有固有空隙的介质材料；对限定结构进行第一刻蚀工艺，以扩大接触孔的开口，其中，在第一刻蚀工艺中，第一限定部在至少两个相邻的接触孔的排列方向上的尺寸减小；形成覆盖第一限定部的侧壁的补偿介质层；以及在接触孔中形成第一接触插塞。本公开实施例有利于提高形成的半导体结构的良率。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有阵列排布的多个接触孔和限定所述多个接触孔的限定结构，所述限定结构包括位于至少两个相邻的接触孔之间的第一限定部，所述第一限定部的材料为具有固有空隙的介质材料，所述衬底上还形成有第二接触插塞，所述第二接触插塞位于所述接触孔的底部； 对所述限定结构进行第一刻蚀工艺，以扩大所述接触孔的开口，其中，在所述第一刻蚀工艺中，所述第一限定部在所述至少两个相邻的接触孔的排列方向上的尺寸减小，所述限定结构还包括在所述第一刻蚀工艺中不被刻蚀的第二限定部，所述第二限定部比所述第一限定部更靠近所述衬底，所述第二限定部的材料与所述第一限定部的材料相同，所述第二接触插塞覆盖所述第二限定部的侧壁； 形成覆盖所述第一限定部的侧壁的补偿介质层，其中，所述补偿介质层的材料与所述第一限定部的材料相同，所述第一限定部和所述补偿介质层所构成的整体结构中的所述空隙的分布密度小于所述第二限定部中的空隙的分布密度，所述第一限定部和所述补偿介质层所构成的整体结构中的所述空隙的平均尺寸小于所述第二限定部中的所述空隙的平均尺寸；以及 在所述接触孔中形成第一接触插塞。

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