西北工业大学罗小光获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310340762.5，技术领域涉及：H10F30/26；该发明授权一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法是由罗小光;闫雨婷;徐金鹏;程迎春设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域。本发明公开了的近理想线性响应的双浮栅光电二极管，从下到上包括依次设置的SiO2Si衬底、介电层、作为底部浮栅的第一MoTe2层、作为N端的第一MoS2层、作为P端的第二MoTe2层、作为顶部浮栅的第二MoS2层和设置在表面的一对电极；所公开的结构在MoS2MoTe2异质结的上、下两侧再形成两个II型范德华异质结构MoS2MoTe2和MoTe2MoS2，在两侧II型异质结内建电场的作用下，更完全地耗尽了异质结导电沟道中的少子，减弱沟道中的多子与少子发生的相互作用，实现近理想的线性响应。
本发明授权一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管，其特征在于，包括SiO2Si衬底（1），所述SiO2Si衬底（1）的上表面设置有介电层（2）；所述介电层（2）的上表面设置有作为底部浮栅的第一MoTe2层（3）；所述第一MoTe2层（3）的上表面设置有作为N端的第一MoS2层（4）；所述第一MoS2层（4）的上表面设置有作为P端的第二MoTe2层（5）；所述第二MoTe2层（5）的上表面设置有作为顶部浮栅的第二MoS2层（6）； 其中，所述第一MoS2层（4）的一端与介电层（2）的表面接触，另一端设置在第一MoTe2层（3）的上表面；所述第二MoTe2层（5）的一端与介电层的表面接触，另一端与第一MoS2层（4）的上表面接触； 与介电层的表面接触的第一MoS2层（4）、第二MoTe2层（5）的上表面分别设置有电极（7）。
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