华映科技(集团)股份有限公司阮丽莹获国家专利权
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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种能改善TIC暗块的触控显示结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116594518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310387060.2,技术领域涉及:G06F3/041;该发明授权一种能改善TIC暗块的触控显示结构是由阮丽莹设计研发完成,并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能改善TIC暗块的触控显示结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种能改善TIC暗块的触控显示结构,包括有显示区、IC芯片键合区以及配线,扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区,第一走线区位于IC芯片键合区内;第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线;第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠,第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠,且第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度,上述设置,使第一M3能够包覆第一M2材料,可防止第一M2材料边缘光阻覆盖性不佳,药液渗入侧向蚀刻第一M3材料,造成M3走线断路的问题,而且,第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠的设置,使得第一M3线可以做到单层跨接,从而增加制程裕度,有效的改善TIC暗块。
本发明授权一种能改善TIC暗块的触控显示结构在权利要求书中公布了:1.一种能改善TIC暗块的触控显示结构,包括有显示区、IC芯片键合区以及用于连接显示区和IC芯片键合区的配线,所述触控显示结构还包括有扇出区,其特征在于:所述扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区,所述第一走线区位于IC芯片键合区内,所述第二走线区位于扇出区内; 所述第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线,所述第一M1线设置在第一M2线的下方,且所述第一M1线和第一M2线之间设置有第一GI层,所述第一M2线设置在第一M3线的下方,且所述第一M2线和第一M3线之间设置有第一PV层; 所述第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠,所述第一M2线的第一端与第一M1线在垂直方向上交叠,所述第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠,且所述第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度; 所述第一M2线的第一端的宽度小于第一M1线的宽度; 所述第二走线区包括有第二M1线、第二M2线和第二M3线,所述第二M1线顶部设置有第二GI层,所述第二M2线设置在第二GI层顶部,所述第二GI层顶部设置有能覆盖第二M2线的第二PV层,所述第二PV层顶部设置有OC层,所述第二M3线设置在OC层顶部,所述OC层顶部设置有能够覆盖第二M3线的VA层,所述VA层顶部设置有CH层。
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