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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310432814.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由袁俊;郭飞;徐东;王宽;彭若诗设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构及其制作方法，上述的宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构包括：衬底、P阱区、N柱组、源极P+区、源极N+区、栅极、源极及漏极；P阱区设于基底的上表面，N柱组沿第一方向穿设于P阱区，N柱组的下端部与基底的上表面连接；栅极的底部连接于N柱组的上端部，栅极沿第一方向嵌设于P阱区；源极P+区和源极N+区均设于P阱区的上表面，多个源极P+区和多个源极N+依次区间隔布设；源极设于源极P+区和源极N+区的上表面，漏极设于基底的底部。该器件结构能够构造比沟槽更深的P阱区，使P阱区包住槽角，可以降低槽角处的电场，而且N柱组能够抑制浪涌电流，提高了器件性能的稳定性和可靠性。

本发明授权宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括：基底、P阱区、N柱组、源极P+区、源极N+区、栅极、源极及漏极； 所述P阱区设于所述基底的上表面，所述N柱组沿第一方向穿设于所述P阱区，所述N柱组的下端部与所述基底的上表面连接；定义器件结构的宽度方向为第一方向； 所述栅极的底部连接于所述N柱组的上端部，且所述栅极沿所述第一方向嵌设于所述P阱区； 所述源极P+区和所述源极N+区均设于所述P阱区的上表面，且所述源极P+区和所述源极N+区依次间隔布设； 所述源极设于所述源极P+区和所述源极N+区的上表面，所述漏极设于所述基底的底部； 所述栅极包括栅极介质层、栅极硅和栅极沟槽； 所述栅极沟槽呈U形状，沿所述第一方向延伸设置； 所述栅极介质层设于所述栅极沟槽内壁侧；所述栅极硅填充于所述栅极沟槽的中部，且与所述栅极介质层接触； 所述宽禁带半导体包角沟槽MOSFET器件结构还包括层间介质层； 所述层间介质层盖设于所述栅极沟槽的敞口处，且其中部与所述栅极介质层和所述栅极硅的上端面接触，其两端部与所述源极N+区接触； 所述N柱组包括第一N柱子和第二N柱子； 所述第一N柱子和所述第二N柱子沿第二方向间隔布置，所述第一N柱子和所述第二N柱子之间为P阱区；定义器件结构的长度方向为第二方向； 其中，所述第二方向与所述第一方向垂直设置； 所述第一N柱子和所述第二N柱子均包括多个N柱段，多个所述N柱段间隔设置； 所述N柱组为多个；多个所述N柱组沿所述第二方向间隔设置在所述P阱区内； 所述栅极和所述层间介质层的数量均与所述N柱组的数量相同，且与所述N柱组对应设置。

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