长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118890897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310454375.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维存储器及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储器及其制备方法。所述三维存储器包括：包括：存储阵列结构、至少一个阶梯结构和多个位线。存储阵列结构包括：交替层叠的多个隔离层和多个半导体层。阶梯结构设置于存储阵列结构的一侧，包括：沿第一方向排列的多个台阶组。各台阶组分别沿第二方向延伸，且相邻台阶组在半导体层的堆叠方向上错位设置；其中，第一方向和第二方向相交；台阶组包括多个导电台阶，且各导电台阶分别和对应的半导体层相连接。多个位线分别设置于对应导电台阶的上表面。位线沿垂直于导电台阶上表面的方向延伸。所述三维存储器及其制备方法有利于进一步提升三维存储器的存储密度及存储容量。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 存储阵列结构，包括：交替层叠的多个隔离层和多个半导体层； 至少一个阶梯结构；所述阶梯结构设置于所述存储阵列结构的一侧，包括：沿第一方向排列的多个台阶组；各所述台阶组分别沿第二方向延伸，且相邻所述台阶组在所述半导体层的堆叠方向上错位设置；其中，所述第一方向和所述第二方向相交；所述台阶组包括多个导电台阶，且各所述导电台阶分别和对应的所述半导体层相连接； 多个位线，分别设置于对应所述导电台阶的上表面；所述位线沿垂直于所述导电台阶上表面的方向延伸； 其中，多个所述台阶组包括：中心台阶组以及以所述中心台阶组为中心左右对称的多个第一台阶组和多个第二台阶组； 其中，多个所述位线包括：多个位线组； 其中，设置于各所述第一台阶组中所述导电台阶上表面的多个所述位线组沿第三方向线性排列；设置于各所述第二台阶组中所述导电台阶上表面的多个所述位线组沿第四方向线性排列；所述第三方向和所述第四方向均分别与所述第一方向、所述第二方向相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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