西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司余以杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116930045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310465364.6,技术领域涉及:G01N15/14;该发明授权一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质是由余以杰;王贵石;范东方;刘永亮设计研发完成,并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质;所述方法包括:获取待测硅片表面的检测结果数据;其中,所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量;根据所述待测硅片表面的检测结果数据,计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量;基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量,按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级。
本发明授权一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质在权利要求书中公布了:1.一种判定硅片等级的方法,其特征在于,所述方法包括: 获取待测硅片表面的检测结果数据;其中,所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量; 根据所述待测硅片表面的检测结果数据,计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量;其中,按照设定的划分规则,将所述待测硅片表面划分为多个圆环区域,并且所述每个指定区域为多个圆环区域中的每个圆环区域; 基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量,按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级;其中,所述基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量,按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级,包括: 计算所述每个圆环区域对应的面积; 基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积与所述每个圆环区域对应的面积,计算获得所述待测硅片等级的面积判定系数; 基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量与所述每个圆环区域对应的面积,计算获得所述待测硅片等级的密度判定系数; 根据所述面积判定系数和所述密度判定系数,确定所述待测硅片的等级;其中,所述根据所述面积判定系数和所述密度判定系数,确定所述待测硅片的等级,包括: 根据多个圆环区域所对应的面积判定系数,获得所述多个圆环区域中所述面积判定系数的最大值与所述面积判定系数的最小值之间的第一比值; 依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数,并获得所述相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数之间的第一差值的绝对值; 根据多个圆环区域所对应的密度判定系数,获得所述多个圆环区域中所述密度判定系数的最大值与所述密度判定系数的最小值之间的第二比值; 依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数,并获得所述相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数之间的第二差值的绝对值; 当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值均对应满足设定的阈值时,确定所述待测硅片为良品; 反之,当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值任一没有满足设定的阈值时,确定所述待测硅片为不良品。
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