长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310586629.8，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体器件及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；衬底至少包括器件区，且衬底表面形成有堆叠结构；多个栅极，位于器件区；沿第三方向贯穿堆叠结构，且沿第一方向和第二方向阵列排布；沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔排布的多个隔离结构；隔离结构位于沿第二方向相邻的每两个栅极之间；多条第一金属线，沿第一方向和第二方向间隔排布；每一第一金属线与位于隔离结构沿第二方向两侧的两个栅极连接；多条第二金属线，沿第二方向延伸、且沿第一方向间隔排布；沿第一方向排列的每两条第二金属线对应连接至沿第二方向依次排列的一列第一金属线，且沿第二方向依次排列的相邻的两个第一金属线连接至不同的第二金属线。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底至少包括器件区，且所述衬底表面形成有堆叠结构； 多个栅极，位于所述器件区；沿第三方向贯穿所述堆叠结构，且沿第一方向和第二方向阵列排布； 沿所述第一方向延伸、且沿所述第二方向间隔排布的多个隔离结构；所述隔离结构位于沿所述第二方向相邻的每两个所述栅极之间； 多条第一金属线，沿所述第一方向和所述第二方向间隔排布；每一所述第一金属线与位于所述隔离结构沿所述第二方向两侧的两个所述栅极连接； 多条第二金属线，沿所述第二方向延伸、且沿所述第一方向间隔排布；沿所述第一方向排列的每两条所述第二金属线对应连接至沿所述第二方向依次排列的一列所述第一金属线，且沿所述第二方向依次排列的相邻的两个所述第一金属线连接至不同的所述第二金属线； 所述第一方向与所述第二方向相交，且均平行于所述衬底所在的平面，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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