长鑫存储技术有限公司王雪平获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119072117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310618975.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法是由王雪平设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，衬底包括有源区，衬底上形成有间隔设置的位线；形成填充在相邻的位线之间的接触材料层，接触材料层至少覆盖位于相邻的位线之间的部分有源区；刻蚀去除部分接触材料层，在相邻的位线之间形成分立的接触插塞，接触插塞和有源区接触连接；形成填充在相邻的接触插塞之间并覆盖接触插塞顶面的隔离材料层；刻蚀去除部分隔离材料层，暴露出接触插塞的顶面。本公开通过减少沉积介电材料和刻蚀介电材料的步骤，以及改变接触插塞和隔离材料层的制程顺序，降低对位线的绝缘侧壁的消耗、减少位线弯曲的风险，并降低接触插塞与有源区断路的可能性以及降低形成接触插塞的过程中产生空气隙的可能性。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供衬底，所述衬底包括多个独立设置的有源区，所述衬底上形成有间隔设置的位线，所述位线和位于其延伸方向上的所述有源区相交； 形成接触材料层，所述接触材料层填充在相邻的所述位线之间，所述接触材料层至少覆盖位于相邻的所述位线之间的部分所述有源区； 刻蚀去除部分所述接触材料层，在相邻的所述位线之间形成分立的接触插塞，所述接触插塞和所述有源区接触连接； 形成隔离材料层，所述隔离材料层填充在相邻的所述接触插塞之间并覆盖所述接触插塞的顶面； 刻蚀去除部分所述隔离材料层，暴露出所述接触插塞的顶面； 刻蚀所述接触插塞，以使所述接触插塞的顶面低于所述隔离材料层的顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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