长鑫存储技术有限公司高王荣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310642640.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由高王荣;雷斌;吕嘉伟设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，结构包括：基底，基底包括阵列区和外围区，基底的阵列区上具有电容结构；接触插塞，接触插塞沿基底的厚度方向延伸，接触插塞位于基底的外围区，底面与基底接触，顶面不高于电容结构的顶面；第一布线层，第一布线层与电容结构的顶面接触；第二布线层，第二布线层与接触插塞的顶面接触，第二布线层与第一布线层同层设置。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法有利于提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括阵列区和外围区，所述基底的所述阵列区上具有电容结构； 接触插塞，所述接触插塞沿所述基底的厚度方向延伸，所述接触插塞位于所述基底的外围区，底面与所述基底接触，顶面不高于所述电容结构的顶面； 第一布线层，所述第一布线层与所述电容结构的顶面接触； 第二布线层，所述第二布线层与所述接触插塞的顶面接触，所述第二布线层与所述第一布线层同层设置； 其中，所述第一布线层包括第一粘附层、第一扩散阻挡层和第一导体层，所述第一扩散阻挡层覆盖所述第一导体层的底面与侧壁，位于所述第一导体层的底面的所述第一扩散阻挡层与所述电容结构的顶面接触，所述第一粘附层位于所述第一扩散阻挡层和所述第一导体层之间；和或，所述第二布线层包括第二粘附层、第二扩散阻挡层和第二导体层，所述第二扩散阻挡层覆盖所述第二导体层的底面与侧壁，位于所述第二导体层底面的所述第二扩散阻挡层与所述接触插塞的顶面接触，所述第二粘附层位于所述第二扩散阻挡层和所述第二导体层之间。
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