长鑫存储技术有限公司谈亚丽获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310686002.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由谈亚丽设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供半导体结构，包括第一半导体层、位于第一半导体层上的第一牺牲层以及位于第一牺牲层上且沿第一方向延伸的多个半导体条组；其中，每个半导体条组包括沿第二方向并列设置的第一半导体条和第二半导体条，半导体条组内的第一半导体条和第二半导体条之间具有第一凹槽，相邻两个半导体条组之间具有第二凹槽；第一方向和第二方向均平行于第一半导体层且第一方向和第二方向相交；通过第一凹槽和第二凹槽去除第一牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中依次形成第一栅介质层和第一沟道层；在第一凹槽底部暴露出的第一沟道层上形成用于调节半导体器件阈值电压的阈值电压调节层。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供半导体结构，包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上且沿第一方向延伸的多个半导体条组；其中，每个所述半导体条组包括沿第二方向并列设置的第一半导体条和第二半导体条，所述半导体条组内的所述第一半导体条和所述第二半导体条之间具有第一凹槽，相邻两个所述半导体条组之间具有第二凹槽；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一半导体层且所述第一方向和所述第二方向相交； 通过所述第一凹槽和所述第二凹槽去除所述第一牺牲层，以形成第一间隙； 在所述第一间隙中依次形成第一栅介质层和第一沟道层； 在所述第一凹槽底部暴露出的第一沟道层上形成用于调节所述半导体器件阈值电压的阈值电压调节层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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