长鑫存储技术有限公司叶斌获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310680649.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由叶斌;马经纶设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的制备方法包括：提供衬底，在衬底上设置有位线结构及第一隔离结构，第一隔离结构与位线结构交叉设置且第一隔离结构的顶面高于位线结构的顶面，两个相邻的位线结构与两个相邻的第一隔离结构围成第一接触孔；在第一接触孔内形成初始导电层，以及在初始导电层上形成掩膜图形，初始导电层的顶面低于第一隔离结构的顶面，掩膜图形位于第一隔离结构侧壁，相邻第一隔离结构相对侧壁的掩膜图形之间具有第一沟槽；沿第一沟槽去除部分初始导电层，以形成第一隔离槽；在第一隔离槽内填充隔离材料，以形成第二隔离结构。该制备方法能够在第一接触孔中形成不具有气隙的导电结构，大大提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上设置有位线结构及第一隔离结构，所述第一隔离结构与所述位线结构交叉设置且所述第一隔离结构的顶面高于所述位线结构的顶面，两个相邻的所述位线结构与两个相邻的所述第一隔离结构围成第一接触孔； 在所述第一接触孔内形成初始导电层，以及在所述初始导电层上形成掩膜图形，所述初始导电层的顶面低于所述第一隔离结构的顶面，所述掩膜图形位于所述第一隔离结构侧壁，相邻所述第一隔离结构相对侧壁的所述掩膜图形之间具有第一沟槽； 沿所述第一沟槽去除部分所述初始导电层，以形成第一隔离槽； 在所述第一隔离槽内填充隔离材料，以形成第二隔离结构； 其中，所述第一隔离槽贯穿所述初始导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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