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龙图腾网获悉北京升宇科技有限公司申请的专利抗辐射带隙基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116560449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310710941.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权抗辐射带隙基准源电路是由董贤辉;李晓明设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐射带隙基准源电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗辐射带隙基准源电路，包括用于产生基准电压带隙基准源结构电路和补偿电流产生电路，补偿电流产生电路用于对所述带隙基准源结构电路中的三极管进行电流补偿。本发明通过对带隙基准源结构的三极管进行电流补偿，降低了三极管受辐射效应后电流增益的影响。本发明在实现抗辐射抑制的同时，无需较大偏置电流，有效地降低系统功耗。

本发明授权抗辐射带隙基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射带隙基准源电路，其特征在于，包括带隙基准源结构电路和补偿电流产生电路，其中： 所述带隙基准源结构电路用于产生基准电压； 所述带隙基准源结构电路包括电流镜电路、第一三极管和第二三极管构成的三极管对、第一电阻和第二电阻； 所述电流镜电路包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的两个源极相连接，两个栅极相连接，两个漏极分别作为该电流镜电路的第一输出臂和第二输出臂； 所述第一三极管和第二三极管的集电极分别连接所述电流镜电路的第一输出臂和第二输出臂； 所述第一电阻和第二电阻构成电阻分压网络，第一电阻的两端分别连接第一三极管和第二三极管的发射极，第二电阻的一端连接到第二三极管的发射极，另一端接地； 所述补偿电流产生电路用于对所述带隙基准源结构电路中的三极管进行电流补偿； 所述补偿电流产生电路包括第一部分和第二部分，第一部分用于产生第一输出电流IOUT1和第二输出电流IOUT2，第二部分用于对第一输出电流和第二输出电流进行处理得到第一补偿电流ICMP1和第二补偿电流ICMP2， 所述补偿电流产生电路的第一部分包括第三MOS管、第一补偿三极管、第三MOS管与第一补偿三极管之间的第一输出MOS管，以及第四MOS管、第二补偿三极管、第四MOS管与第二补偿三极管之间的第二输出MOS管； 所述补偿电流产生电路的第二部分包括第一补偿电流产生电路和第二补偿电流产生电路，以产生所述第一补偿电流ICMP1和第二补偿电流ICMP2； 所述第一输出电流和第二输出电流满足： IOUT1＝IB1+IPBE1 IOUT2＝IB2+IPBE2 IB1为第一三极管基极电流，IPEB1第一三极管的基极与发射极之间的光电流IB2为第二三极管基极电流，IPEB2第二三极管的基极与发射极之间的光电流； 第一补偿电流ICMP1和第二补偿电流ICMP2满足： ICMP1＝IOUT2-2×ICMP2 ICMP2＝IOUT1-IOUT2。

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