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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310738742.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构及其制备方法是由廖昱程;蒋懿;杨晨;胡敏锐;肖德元设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底，具有多个有源结构；多个存储结构，沿第一方向间隔排布于各有源结构的第一侧壁和第二侧壁；其中，第一方向垂直于衬底的上表面；第一侧壁和第二侧壁沿第二方向延伸；第二方向平行于衬底的上表面；多个位线；位线沿第三方向延伸，并位于有源结构上方，与有源结构对应连接；其中，第三方向平行于衬底的上表面并与第二方向相交；沿第三方向排列的多个有源结构连接同一位线；位于同一有源结构的第一侧壁和第二侧壁上的多个存储结构共用同一位线。所述半导体结构可以有效提升存储密度，提升存储性能。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底，具有多个有源结构； 多个存储结构，沿第一方向间隔排布于各所述有源结构的第一侧壁和第二侧壁；其中，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；所述第一侧壁和所述第二侧壁沿第二方向延伸；所述第二方向平行于所述衬底的上表面； 多个位线；所述位线沿第三方向延伸，并位于所述有源结构上方，与所述有源结构对应连接；其中，所述第三方向平行于所述衬底的上表面并与所述第二方向相交；沿所述第三方向排列的多个所述有源结构连接同一所述位线；位于同一所述有源结构的所述第一侧壁和所述第二侧壁上的多个所述存储结构共用同一所述位线； 多个字线； 所述字线沿所述第二方向延伸，并设置于对应所述存储结构背离所述有源结构的侧壁； 其中，所述字线的部分构成对应所述存储结构的栅极； 所述存储结构包括：沿远离所述有源结构对应侧壁的方向依次层叠的第一栅介质层、扑获层、第二栅介质层和所述栅极； 所述半导体结构还包括：支撑隔离结构；所述支撑隔离结构位于在所述第一方向上相邻的所述扑获层之间，在所述第一方向上相邻的所述第二栅介质层之间，在所述第一方向上相邻的所述字线之间，以及在所述三方向上相邻的所述字线之间。

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