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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310815305.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构及其制备方法是由顾婷婷设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底和第一器件结构；其中，第一器件结构包括第一有源层、第一隔离保护层、第二有源层、第一栅极沟槽、第一栅极结构以及第一半导体层；第一有源层位于衬底的上表面；第一隔离保护层位于衬底的上表面，且覆盖第一有源层；第二有源层位于第一隔离保护层的上表面；第一栅极沟槽贯穿第二有源层及第一隔离保护层，并延伸至第一有源层内；第一栅极结构位于第一栅极沟槽内；第一半导体层位于第一栅极沟槽的侧壁及底部，且环绕第一栅极结构；第一半导体层的材料与第一有源层的材料及第二有源层的材料均相同。半导体结构能够优化半导体器件的通态特性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底和第一器件结构；其中，所述第一器件结构包括： 第一有源层，位于所述衬底的上表面； 第一隔离保护层，位于所述衬底的上表面，且覆盖所述第一有源层； 第二有源层，位于所述第一隔离保护层的上表面； 第一栅极沟槽，贯穿所述第二有源层及所述第一隔离保护层，并延伸至所述第一有源层内； 第一栅极结构，位于所述第一栅极沟槽内； 第一半导体层，位于所述第一栅极沟槽的侧壁及底部，且环绕所述第一栅极结构；所述第一半导体层包括本征氧化铟镓锌层；所述第一有源层及所述第二有源层均包括掺杂氧化铟镓锌层； 其中，所述半导体结构还包括第二器件结构，所述第二器件结构包括： 第三有源层，位于所述第一器件结构上； 第二隔离保护层，位于所述第一器件结构上，且覆盖所述第三有源层； 第四有源层，位于所述第二隔离保护层的上表面； 第二栅极沟槽，贯穿所述第四有源层及所述第二隔离保护层，并延伸至所述第三有源层内； 第二栅极结构，位于所述第二栅极沟槽内； 第二半导体层，位于所述第二栅极沟槽的侧壁及底部，且环绕所述第二栅极结构；所述第二半导体层的材料与所述第三有源层的材料及所述第四有源层的材料均相同； 其中，所述第二器件结构的数量为多个，多个所述第二器件结构由下至上依次叠置； 位于所述第一器件结构上且与所述第一器件结构相邻的所述第二器件结构中的所述第三有源层与所述第一器件结构中的所述第一栅极结构电连接； 对于叠置且相邻的两个所述第二器件结构，位于上方的所述第二器件结构中的所述第三有源层与位于下方的所述第二器件结构中的所述第二栅极结构电连接。

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