长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310813785.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器的制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储器的制备方法，涉及集成电路设计及制造技术领域，存储单元包括有源柱、电容、第一栅极及第二栅极，有源柱具有沿第一方向相互背离的第一端面与第二端面，第一端面用于与位线连接；有源柱内包括沿第一方向依次排布的第一掺杂区、沟道区及第二掺杂区，沟道区具有沿第二方向相互背离的第一外表面及第二外表面，沟道区内包括沿第三方向贯穿有源柱的应力结构；第一方向与第二方向相交且均垂直于第三方向；电容覆盖第二端面并周向环绕有源柱的部分侧表面；第一栅极位于沟道区的第一外表面；第二栅极位于沟道区的第二外表面，至少能够在减小存储单元体积的情况下，提高存储单元的性能及可靠性。
本发明授权存储单元、存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 有源柱，具有沿第一方向相互背离的第一端面与第二端面，所述第一端面用于与位线连接；所述有源柱内包括沿所述第一方向依次排布的第一掺杂区、沟道区及第二掺杂区，所述沟道区具有沿第二方向相互背离的第一外表面及第二外表面，所述沟道区内包括沿第三方向贯穿所述有源柱的应力结构；所述第一方向与所述第二方向相交且均垂直于所述第三方向； 电容，覆盖所述第二端面并周向环绕所述有源柱的部分侧表面； 第一栅极，位于所述第一外表面； 第二栅极，位于所述第二外表面；以及， 位于所述沟道区内的埋入式栅结构，所述埋入式栅结构位于所述第一端面与所述应力结构之间，且连接所述应力结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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