长鑫科技集团股份有限公司张蕤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310894569.6，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张蕤设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底，基底包括半导体衬底以及位于半导体衬底表面的半导体层，其中，半导体层的材料的禁带宽度小于半导体衬底的材料的禁带宽度；栅极结构，栅极结构位于半导体层的顶面；源漏掺杂区，源漏掺杂区位于栅极结构的相对两侧的基底内，源漏掺杂区包括凹槽，凹槽的底面低于半导体层的底面；金属半导体化合物层，金属半导体化合物层位于源漏掺杂区的凹槽的底部，且金属半导体化合物层的顶面低于半导体层的底面。可以提高半导体结构的可靠性。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的半导体层，其中，所述半导体层的材料的禁带宽度小于所述半导体衬底的材料的禁带宽度； 栅极结构，所述栅极结构位于所述半导体层的顶面； 源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于所述栅极结构的相对两侧的所述基底内，所述源漏掺杂区包括凹槽，所述凹槽的底面低于所述半导体层的底面； 金属半导体化合物层，所述金属半导体化合物层位于所述源漏掺杂区的所述凹槽的底部，且所述金属半导体化合物层的顶面低于所述半导体层的底面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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