亿而得微电子股份有限公司黄郁婷获国家专利权
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龙图腾网获悉亿而得微电子股份有限公司申请的专利小面积共电压反熔丝阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310916231.6，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权小面积共电压反熔丝阵列是由黄郁婷;吴其沛设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本小面积共电压反熔丝阵列在说明书摘要公布了：本发明公开一种小面积共电压反熔丝阵列，属于存储器阵列领域，其包括多条字线、多条选择线、多条共电压线与多个反熔丝元件。字线包括第一字线与第二字线，选择线垂直共电压线与字线，选择线包括第一选择线。共电压线直接耦接在一起，共电压线包括第一共电压线与第二共电压线。第一字线与第二字线分别靠近第一共电压线与第二共电压线。每一反熔丝元件耦接两条字线、一条选择线与两条共电压线，并包括一第一反熔丝记忆晶胞与一第二反熔丝记忆晶胞。第一反熔丝记忆晶胞耦接第一字线、第一选择线与第一共电压线，第二反熔丝记忆晶胞耦接第二字线、第一选择线与第二共电压线。本发明减少了译码器的数量与整体面积。
本发明授权小面积共电压反熔丝阵列在权利要求书中公布了：1.一种小面积共电压反熔丝阵列，其特征在于，包括： 多条平行的字线，包括一第一字线与一第二字线； 多条平行的选择线，与多条字线互相垂直，其中，多条选择线包括一第一选择线； 多条平行的共电压线，与多条选择线互相垂直，多条共电压线直接耦接在一起，其中，多条共电压线包括一第一共电压线与一第二共电压线，所述第一字线与所述第二字线分别靠近所述第一共电压线与所述第二共电压线； 多个反熔丝元件，每一所述反熔丝元件耦接两条字线、一条选择线与两条共电压线，其中每一所述反熔丝元件包括： 一第一反熔丝记忆晶胞，耦接所述第一字线、所述第一选择线与所述第一共电压线；一第二反熔丝记忆晶胞，耦接所述第二字线、所述第一选择线与所述第二共电压线； 其中所述第一字线与所述第二字线位于所述第一共电压线与所述第二共电压线之间。
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