北京超弦存储器研究院毛淑娟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311155250.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由毛淑娟;王桂磊;赵超;李玉科设计研发完成，并于2023-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次叠置的第一侧墙介质层、第二侧墙介质层、导电层、第三侧墙介质层及第四侧墙介质层；第一侧墙介质层与第二侧墙介质层的介电常数不同；第三侧墙介质层与第四侧墙介质层的介电常数不同；于叠层结构内形成多个沟道孔；于各沟道孔内形成有源柱，有源柱与沟道孔的侧壁具有间距；于叠层结构内形成字线隔离槽，以得到多条间隔排布的字线；字线环绕有源柱，且沿第一方向延伸；字线包括由下至上依次叠置的第一外侧墙、第一内侧墙、字线导电层、第二内侧墙及第二外侧墙。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的上表面形成叠层结构，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的第一侧墙介质层、第二侧墙介质层、导电层、第三侧墙介质层及第四侧墙介质层；所述第一侧墙介质层与所述第二侧墙介质层的介电常数不同；所述第三侧墙介质层与所述第四侧墙介质层的介电常数不同； 于所述叠层结构内形成多个沟道孔； 于各所述沟道孔内形成有源柱，所述有源柱与所述沟道孔的侧壁具有间距； 于所述叠层结构内形成字线隔离槽，以得到多条间隔排布的字线；所述字线环绕所述有源柱，且沿第一方向延伸；所述字线包括由下至上依次叠置的第一外侧墙、第一内侧墙、字线导电层、第二内侧墙及第二外侧墙； 于所述字线与所述有源柱之间形成栅介质层。
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