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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117080245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311175979.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率半导体器件及其制备方法是由梁嘉进;伍震威;单建安设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为提供高可靠性的芯片结构，本发明通过设置有一个以上的源区域、一个以上的终端区域、一个以上的浮空沟槽区域以及位于芯片最外围的截止区域，降低芯片外围区域的表面应力，提高终端区域的击穿电压以及可靠性。

本发明授权一种功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，所述的器件包括有位于底部的漏极金属层、位于漏极金属层之上的第一导电型重掺杂衬底层、位于第一导电型重掺杂衬底层之上的第一导电型第一外延层、第二外延层、沟槽区域以及位于器件上表面的源极金属和栅极金属层；其特征在于，所述的半导体器件设有一个以上的有源区域、一个以上的包围所述的有源区域的终端区域、一个以上的位于芯片外围包围所有有源区域和终端区域的浮空沟槽区域以及位于包围在芯片最外围的截止区域； 所述的有源区域包括有一系列相互平行的元胞沟槽，所述的元胞沟槽内包括位于沟槽上方的栅电极以及下方的屏蔽栅电极，所述的元胞沟槽间设有第一导电型轻掺杂漂移区以及设于元胞沟槽上方的第二导电型掺杂体区，在一个器件中，至少包括两种不同方向的元胞沟槽构成的有源区域； 所述的终端区域包括有一段以上的相互平行的终端沟槽，所述的终端沟槽内填充有屏蔽栅电极，所述的屏蔽栅电极连接到器件上表面的源极金属或其他位于源极-漏极之间的电位上； 所述的浮空沟槽区域包括有一段以上的相互平行的浮空沟槽； 所述的截止区域包括有至少一段截止沟槽以及位于该区域的器件上表面的截止金属层，所述的截止沟槽至少设有屏蔽栅电极，所述的屏蔽栅电极连接到半导体上表面的截止金属层； 有源区域内至少一个元胞沟槽的尽头处设有与该元胞沟槽方向相同的延伸沟槽，延伸沟槽的深度和宽度不大于元胞沟槽的深度和宽度，所述的延伸沟槽连接到终端沟槽； 所述的浮空沟槽和元胞沟槽的方向不同。

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