福建省晋华集成电路有限公司叶长福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利原子层沉积方法及原子层沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311234619.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权原子层沉积方法及原子层沉积装置是由叶长福;魏鼎;吕佐文设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子层沉积方法及原子层沉积装置在说明书摘要公布了：本申请提出一种原子层沉积方法及原子层沉积装置。将n个晶圆片放置于工艺腔室下方的转台上；第一步骤对工艺腔室内通入沉积源气体和吹扫气体进行沉积反应，以使各个晶圆片上达到预设的第一厚度的原子层沉积膜层；第二步骤对工艺腔室内停止通入沉积源气体但通入吹扫气体，以及控制转台进行第一角度θ旋转，n*θ＝360度；重复执行n‑1次第一步骤和第二步骤，在重复完成后，再进行第一步骤，以使各个晶圆片上形成预设厚度的原子层沉积膜层。本申请可以改善以致各个晶圆片上原子层沉积膜层的厚度差异。
本发明授权原子层沉积方法及原子层沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括： 将n个晶圆片放置于工艺腔室下方的转台上，所述工艺腔室包括用于通入沉积源气体的第一腔室和用于通入吹扫气体的第二腔室，所述第一腔室和所述第二腔室之间通过隔断分隔； 第一步骤对所述工艺腔室内通入沉积源气体和吹扫气体进行沉积反应，并旋转所述转台，以使各个所述晶圆片在所述第一腔室和第二腔室中移动，以及在各个所述晶圆片上达到预设的第一厚度的原子层沉积膜层； 第二步骤对所述工艺腔室内停止通入所述沉积源气体但通入所述吹扫气体，以及控制所述转台进行第一角度θ旋转； 重复执行n-1次所述第一步骤和所述第二步骤，在完成所述重复n-1次所述第一步骤和所述第二步骤后，再进行所述第一步骤，其中所述转台旋转整数圈，n*θ=360度，各个晶圆片进入工艺腔室的次数相等，以使各个所述晶圆片上形成预设厚度的原子层沉积膜层。
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