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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311319128.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板是由李育智;龚政;邹胜晗;陈志涛;赵维设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底上依次制备图形化的栅极层、栅介质层、图形化的半导体层、图形化的绝缘层、图形化的顶电极层、钝化层和源漏电极层，使半导体层中的半导体区域、绝缘层与顶电极层各自在基底上的投影区域相互重合且不超出栅极层在基底上的投影区域，并使源电极层经钝化层与半导体层的第一导体区域和顶电极层电性连接，同时使漏电极层经钝化层与半导体层的第二导体区域电性连接，以使源电极层与第一导体区域形成欧姆接触，并使与源电极层电性连接的顶电极层和半导体区域形成肖特基势垒，从而确保对应晶体管具有低饱和电压且高饱和输出电流的器件特性。

本发明授权肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一基底； 在所述基底的一侧依次层叠制备栅极层、栅介质层和半导体层，得到第一半导体器件，其中所述栅极层和所述半导体层均图形化，所述栅极层在所述基底上的投影区域处于所述半导体层在所述基底上的投影区域内； 在所述第一半导体器件包括的半导体层上制备绝缘层和顶电极层，得到第二半导体器件，其中所述绝缘层设置在所述半导体层与所述顶电极层之间，所述绝缘层与所述顶电极层各自在所述基底上的投影区域相互重合，且所述顶电极层在所述基底上的投影区域处于所述栅极层在所述基底上的投影区域内，或者所述顶电极层与所述栅极层各自在所述基底上的投影区域相互重合； 在所述第二半导体器件的远离所述基底的外表面上沉积钝化层，并对所述钝化层进行退火处理，使所述半导体层与所述钝化层直接接触的部分区域在所述钝化层所含有的氢扩散掺杂作用下进行导体化，以将所述半导体层划分为第一导体区域、半导体区域及第二导体区域，其中所述第一导体区域与所述第二导体区域分别位于所述半导体区域的两侧并与所述半导体区域相互连通； 对所述钝化层进行开孔处理，使第一开孔部分裸露所述顶电极层且部分裸露所述第一导体区域，并使第二开孔部分裸露所述第二导体区域； 在所述钝化层的远离基底的外侧表面上形成经所述第一开孔与所述第一导体区域和所述顶电极层电性连接的源电极层，以及经所述第二开孔与所述第二导体区域电性连接的漏电极层，其中所述源电极层与所述第一导体区域形成欧姆接触，所述顶电极层与所述半导体区域形成肖特基势垒，所述半导体区域的临近所述顶电极层的部分区域形成耗尽区。

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