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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利译码电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118230793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311368582.4，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权译码电路是由胡剑;肖军设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本译码电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种译码电路，其驱动单元包括：第一NMOS管、第一PMOS管和第二NMOS管。负压输入电路包括：第一电阻和第一开关管。第一电阻和第一开关管的第一端都连接负压输入信号以及第二端连接在一起并输出负压控制栅选择信号。进行擦除操作时，第一开关管截断，负压控制栅选择信号通过导通的第一NMOS管传输到选定控制栅线上，第二NMOS管的栅极连接负压输入信号而关闭且具有第一漏电，第一漏电使第一电阻的两端形成第一电压差，利用第一电压差使第二NMOS管的关断加深并抑制第一漏电。本发明能在芯片擦除时降低负压漏电。

本发明授权译码电路在权利要求书中公布了：1.一种译码电路，其特征在于：译码电路包括译码单元、电平移位单元和驱动单元； 所述驱动单元包括：第一NMOS管、第一PMOS管和第二NMOS管； 所述第一NMOS管的源极连接选定控制栅线，所述第一NMOS管的漏极连接第一控制栅选择信号，所述第一NMOS管的栅极连接所述第一正相选择信号； 所述第一PMOS管的漏极连接所述选定控制栅线，所述第一PMOS管的源极连接所述第二控制栅选择信号，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一反相选择信号； 所述第二NMOS管的漏极连接所述选定控制栅线，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一反相选择信号； 所述译码电路还包括负压输入电路，所述负压输入电路包括：第一电阻和第一开关管； 所述第一电阻的第一端以及所述第一开关管的第一端都连接负压输入信号； 所述第一电阻的第二端和所述第一开关管的第二端连接在一起并输出负压控制栅选择信号； 所述第一开关管的控制端连接第一设置信号； 所述选定控制栅线为闪存的存储阵列中选定存储单元的选定存储位的控制栅所连接的控制栅线； 进行擦除操作时，所述第一设置信号使所述第一开关管关闭，所述第一控制栅选择信号采用所述负压控制栅选择信号； 所述第一正相选择信号使所述第一NMOS管导通，所述负压控制栅选择信号传输到所述选定控制栅线上； 所述第一反相选择信号连接所述负压输入信号，所述第二NMOS管处于关闭状态，所述第二NMOS管具有第一漏电，所述第一漏电使所述第一电阻的两端形成第一电压差，利用所述第一电压差使所述第二NMOS管的关断加深并抑制所述第一漏电。

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