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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利沟槽栅半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117542890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311425834.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权沟槽栅半导体器件及制造方法是由郑辉;曾大杰设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，器件单元包括：沟槽栅，源极沟槽，位于源极沟槽和沟槽栅之间的第一导电类型掺杂的第一半导体外延层为平台区。沟道区形成于平台区中，源区形成于沟道区的表面区域中。沟槽栅的栅极沟槽纵向穿过沟道区。在源极沟槽中填充有源极引出金属。在源极沟槽的底部区域自对准形成有第二导电类型重掺杂的底部掺杂区，底部掺杂区将源极引出金属的底部包覆并形成欧姆接触，源极引出金属的侧面接触沟道区和源区。在纵向上，栅极沟槽的底部表面位于底部掺杂区的深度范围内，底部掺杂区对沟槽栅的底部区域形成电场屏蔽结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明能能降低沟槽栅底部区域的电场强度。

本发明授权沟槽栅半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅半导体器件，其特征在于，器件单元包括： 具有第一导电类型掺杂的第一半导体外延层，在所述第一半导体外延层的选定区域中形成有沟槽栅，所述沟槽栅包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中栅极导电材料层； 源极沟槽，形成于所述第一半导体外延层的选定区域中，位于所述源极沟槽和所述沟槽栅之间的所述第一半导体外延层为平台区； 第二导电类型掺杂的沟道区形成于所述平台区中，第一导电类型重掺杂的源区形成于所述沟道区的表面区域中； 所述栅极沟槽纵向穿过所述沟道区，被所述沟槽栅侧面覆盖的所述沟道区的第一侧面的表面区域用于形成沟道； 在所述源极沟槽中填充有源极引出金属； 在所述源极沟槽的底部区域自对准形成有第二导电类型重掺杂的底部掺杂区且所述底部掺杂区将所述源极引出金属的底部包覆并形成欧姆接触，所述源极引出金属的侧面和所述沟道区的第二侧面以及所述源区的第二侧面接触并用于引出所述沟道区和所述源区； 在纵向上，所述栅极沟槽的底部表面位于所述底部掺杂区的深度范围内，所述底部掺杂区对所述沟槽栅的底部区域形成电场屏蔽结构，用于降低所述沟槽栅底部区域的电场强度； 从所述沟道区的第一侧面到第二侧面，所述沟道区的深度逐渐增加； 所述沟道区为一倾斜离子注入区，所述沟道区是在所述源极沟槽打开后采用带倾角的离子注入形成，所述带倾角的离子注入从所述平台区的顶部表面以及所述源极沟槽的侧面注入到所述平台区中形成所述沟道区； 半导体器件包括多个并联的所述器件单元，各所述器件单元都形成于器件单元区中； 过渡区环绕在所述器件单元区的周侧，终端区环绕在所述过渡区的周侧； 在所述过渡区的所述第一半导体外延层中形成有第二沟槽以及在所述终端区的所述第一半导体外延层中形成有多个第三沟槽； 所述第二沟槽和各所述第三沟槽都和所述源极沟槽同时形成； 在所述源极沟槽和所述第二沟槽之间、所述第二沟槽和所述第三沟槽之间以及各所述第三沟槽之间形成有第二阱区，所述第二阱区和所述沟道区具有相同的工艺结构且同时形成； 在所述第二沟槽中填充有第一引出金属以及在各所述第三沟槽中填充有第二引出金属，所述第一引出金属、所述第二引出金属和所述源极引出金属具有相同的工艺结构且同时形成； 在各所述第二沟槽和所述第三沟槽的底部形成有第二导电类型重掺杂的第二底部掺杂区，各所述第二底部掺杂区的工艺结构和所述底部掺杂区的工艺结构相同且同时形成； 所述源极引出金属和所述第一引出金属的顶部都连接由正面金属层形成的源极，所述第二引出金属浮置。

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