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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117747664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311635934.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由张日林;于绍欣;黄海燕设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，衬底具有间隔设置的漂移区以及沟道区，漂移区中具有漏区；场氧化层位于漏区与沟道区之间的漂移区上；栅极多晶硅与栅极场板连接，栅极多晶硅位于衬底上，栅极场板位于场氧化层上；多晶硅场板位于漂移区，与栅极场板间隔设置，且位于栅极场板远离沟道区的一侧；层间介质层覆盖衬底、场氧化层、栅极多晶硅、栅极场板以及多晶硅场板，层间介质层具有位于多晶硅场板与漏区之间的接触孔，且均与多晶硅场板以及漏区间隔设置；接触孔场板填充于接触孔中，且均与多晶硅场板以及沟道区连接，多晶硅场板及接触孔场板与场氧化层重叠或间隔设置，以提高击穿电压。

本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 衬底，具有间隔设置的漂移区以及沟道区，所述漂移区中具有漏区； 场氧化层，设置于所述漂移区上，且位于所述漏区与所述沟道区之间； 栅极多晶硅和栅极场板，所述栅极多晶硅与所述栅极场板连接，所述栅极多晶硅设置于所述衬底上，所述栅极场板设置于所述场氧化层上； 多晶硅场板，位于所述漂移区上方，所述多晶硅场板与所述栅极场板间隔设置，且位于所述栅极场板远离所述沟道区的一侧，所述多晶硅场板的厚度为0.1-5μm； 层间介质层，覆盖所述衬底、所述场氧化层、所述栅极多晶硅、所述栅极场板以及所述多晶硅场板，所述层间介质层具有贯穿所述层间介质层以暴露所述衬底的接触孔，所述接触孔位于所述多晶硅场板与所述漏区之间，且所述接触孔均与所述多晶硅场板以及所述漏区间隔设置； 接触孔场板，填充于所述接触孔中，所述接触孔场板均与所述多晶硅场板以及所述沟道区连接；所述沟道区具有体区以及与所述体区连接的源区，所述接触孔场板均与所述多晶硅场板以及所述源区连接；自所述层间介质层朝向所述衬底的方向上，所述多晶硅场板的正投影以及所述接触孔场板的正投影位于所述场氧化层的正投影内，或者，所述多晶硅场板的正投影以及所述接触孔场板的正投影与所述场氧化层的正投影间隔设置； 阻挡层，设置于所述接触孔场板与所述衬底之间，所述阻挡层由交替设置的氧化物层以及氮化硅层构成，所述阻挡层中靠近所述漂移区的氧化物层的厚度为100-800Å。

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