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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117626202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311657160.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法是由熊杰;李宗沛;汪洋;罗正扬;杨超;徐宏伟;黄建文;杜新川;李鹏;王显福设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法，属于超导薄膜制备技术领域，具体为：对设备预热，退火腔与沉积腔的温度加热到800℃以上；预溅射10～30min；衬底置于沉积腔中，通入氩气，气压达10～20Pa时通入氧气，30Pa时开启溅射，双靶溅射电流为0.5A，转动衬底，以0.5～0.6nmmin速率生长5min，退火腔降温到700℃以下停止通入氧气，退火30min，得到2.5～3nm厚的超薄YBCO薄膜，置于6T以上的恒定磁场中，降温至2K以下，获得具有量子金属态的YBCO薄膜。本发明在无需进行任何其他加工的YBCO薄膜上实现超导‑金属转变，制备方法简洁快速，可用于大规模制备。

本发明授权一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将衬底和YBCO靶材固定在磁控溅射设备中，开启预热，将退火腔与沉积腔的温度加热到800℃以上； 步骤2：开启预溅射，10～30min后关闭预溅射； 步骤3：将衬底置于沉积腔中，通入氩气，待沉积腔气压达到10～20Pa时，通入氧气，待沉积腔气压稳定在30Pa时，开启薄膜溅射，将双靶溅射电流稳定在0.5A，转动衬底，在0.5～0.6nmmin的生长速率下生长5min，关闭薄膜溅射，得到2.5～3nm厚的待退火超薄YBCO薄膜； 步骤4：停止通入氩气，将氧气调节为清洗状态，待退火腔的温度降温到700℃以下时，停止通入氧气，将衬底置于退火腔中，退火30min后，自然降温至室温，取出制备的2.5～3nm厚的超薄YBCO薄膜； 步骤5：将超薄YBCO薄膜放置于6T以上的恒定磁场中，降温至2K以下时，获得具有量子金属态的YBCO薄膜。

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