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金安国纪科技(杭州)有限公司;浙江农林大学严初三获国家专利权

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龙图腾网获悉金安国纪科技(杭州)有限公司;浙江农林大学申请的专利一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117818188B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311721625.2,技术领域涉及:B32B27/38;该发明授权一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法是由严初三;叶致远;潘跃武;李强利;吴强设计研发完成,并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法,该覆铜板包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔,其中基板材料包括以下质量份数的原料:复合环氧树脂100份、砜类固化剂20~25份、改性球型二氧化硅30~150份、白色染色剂4.5~24份和分散剂0.15~3份,所述复合环氧树脂包括质量比为(3~4):(6~7)的E型环氧树脂和多官能环氧树脂;所述改性球型二氧化硅表面包含萘结构。多官能环氧树脂上含有的反应活性位点多,可以在固化过程中提高环氧树脂与固化剂之间的反应交联,提高覆铜板基板材料的玻璃化转变温度;而萘结构的化合物分子呈现平面构造,可以抑制环氧树脂分子链之间的自由活动,降低固化后基板材料的热膨胀系数。

本发明授权一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高Tg板上芯片覆铜板,包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔,其特征在于,所述基板材料包括以下质量份数的原料: 复合环氧树脂100份; 砜类固化剂20~25份; 改性球型二氧化硅30~150份; 白色染色剂4.5~24份; 分散剂0.15~3份; 纳米二氧化硅8~15份; 所述复合环氧树脂包括质量比为(3~4):(6~7)的E型环氧树脂和多官能环氧树脂;所述改性球型二氧化硅表面包含萘结构,萘结构是通过聚乙二醇链段连接在球型二氧化硅的表面; 所述改性球型二氧化硅的原料包括质量比为1:(0.8~1.2):(0.3~0.5):(0.4~0.5)的球型二氧化硅、环氧乙烷、乙二醇和2,6-萘二羧酸;所述球型二氧化硅包括粒径大小为1μm、3μm、5μm、10μm和20μm的球型二氧化硅。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人金安国纪科技(杭州)有限公司;浙江农林大学,其通讯地址为:311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道大康路188号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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