深圳市愿力创科技有限公司任春茂获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市愿力创科技有限公司申请的专利压接装置及测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118112295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410187843.0，技术领域涉及：G01R1/04；该发明授权压接装置及测试系统是由任春茂;周水明;王伟群;黄广龙;董冰萧设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本压接装置及测试系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压接装置及测试系统，压接装置包括承载座、下压组件、输入组件及输出组件，承载座用于承载功率半导体；下压组件能够相对于承载座升降，并包括主控板及与主控板电连接的探针板，探针板能够压接于功率半导体的信号端子；输入组件能够相对于承载座升降，并包括电容及与电容电连接的输入铜排，输入铜排能够压接于功率半导体的正负极端子；输出组件能够相对于承载座升降，并包括与负载电连接的输出铜排，输出铜排能够压接于功率半导体的三相端子。输入组件和输出组件采用铜排自动压接的方式实现与功率半导体电连接，功率半导体不容易受损，从而保证测试结果的准确性，提高测试效率。
本发明授权压接装置及测试系统在权利要求书中公布了：1.一种压接装置，其特征在于，包括： 承载座1，用于承载功率半导体8； 下压组件2，能够相对于所述承载座1升降，并包括主控板21及与所述主控板21电连接的探针板22，所述探针板22能够压接于所述功率半导体8的信号端子81； 输入组件3，能够相对于所述承载座1升降，并包括电容31及与所述电容31电连接的输入铜排32，所述输入铜排32能够压接于所述功率半导体8的正负极端子；以及， 输出组件4，能够相对于所述承载座1升降，并包括与负载电连接的输出铜排41，所述输出铜排41能够压接于所述功率半导体8的三相端子84； 其中，所述输入组件和所述下压组件分开布置，所述压接装置还包括用于驱动所述输入组件3相对于所述承载座1升降的第一驱动件6，所述压接装置还包括用于驱动所述输出组件4及所述下压组件2共同相对于所述承载座1升降的第二驱动件7。
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