上海交通大学黄富强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410488115.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池是由黄富强;方裕强设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SnSe‑MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池。该材料化学式为SnSe1.15MS2，M为Ta和或Nb，所述SnSe‑MS2错层硫化物材料由多个MS2层和SnSe层堆叠而成，所述MS2层和所述SnSe层交替排列，每个MS2层由一个M原子层和两个S原子层交替排列而成。本发明制备的SnSe‑MS2错层硫化物材料有效缓解了SnSe在合金化过程中的体积膨胀和Sn‑Se键断裂，应用于钠离子电池中表现出优异的电化学性能。
本发明授权SnSe-MS2错层硫化物材料及制备方法、应用和钠离子电池在权利要求书中公布了：1.一种SnSe-MS2错层硫化物材料，其特征在于，其化学式为SnSe1.15MS2，M为Ta和或Nb，所述SnSe-MS2错层硫化物材料由多个MS2层和SnSe层堆叠而成，所述MS2层和所述SnSe层交替排列，每个MS2层由一个M原子层和两个S原子层交替排列而成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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