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龙图腾网获悉湖南毂梁微电子有限公司申请的专利一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118381504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410522387.0，技术领域涉及：H03L7/099；该发明授权一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路是由邓欢;李振涛;唐金波;朱朝峰设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路，其包括偏置电路单元、环形振荡电路单元和整形电路单元，所述偏置电路单元用来根据输入的控制电压Vctrl为环形振荡电路单元产生偏置电压Vctrl_out和足够的带载能力；所述环形振荡电路单元用来在偏置电压Vctrl_out控制下产生相应频率的振荡波形；所述整形电路单元用来将所述振荡波形转化为方波输出。本发明具有结构更加简单、集成度更高、性能更好等优点。

本发明授权一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路在权利要求书中公布了：1.一种高集成度、高电源抑制比的压控振荡器的电路，其特征在于，包括偏置电路单元、环形振荡电路单元和整形电路单元，所述偏置电路单元用来根据输入的控制电压Vctrl为环形振荡电路单元产生偏置电压Vctrl_out和足够的带载能力；所述环形振荡电路单元用来在偏置电压Vctrl_out控制下产生相应频率的振荡波形；所述整形电路单元用来将所述振荡波形转化为方波输出； 所述偏置电路单元中的第一电流镜单元用于对带隙基准电流源输出的电流I0进行镜像；所述第一电流镜单元包括由MOS管M501，M502，M505和M511，M512，M513组成的电流镜，且均为N型MOS管；所述第一电流镜单元中还包括晶体管M503，作为源级跟随器，控制电压Vctrl经过晶体管M503后输出Vctrl_out电压来给环形振荡电路单元提供电源并控制其振荡频率；所述第一电流镜单元中还包括晶体管M504，晶体管M504的栅极电压将由钳位电路提供，钳位电路内部晶体管M508、M509、M510采用二极管连接的MOS管，为晶体管M504的栅极提供合适的偏置电压，电源电压HV变化时，晶体管M504的栅极电压保持不变；所述电流镜用来为钳位电路提供合适的偏置电流；晶体管M504的栅极与由晶体管M506、M507构成的电流镜电路连接、还与钳位电路连接，并且晶体管M504还有一端与电源电压HV连接，另一端与晶体管M503连接，通过由晶体管M506、M507构成的电流镜电路以及钳位电路使得晶体管M504的栅极电压保持不变，用来使晶体管M503的输出稳定； 所述整形电路单元中的NMOS管M701、M702和M706、M707分别为放大对管，PMOS管M703、M704和M708、M709分别构成第二电流镜作为负载，使能信号EN分别通过M700和M705来控制整形电路单元的开、关；上述MOS管构成了两个第二电流镜做负载的差分放大器结构，对不是满幅的输入差分信号VOP和VON进行放大，实现两个差分信号的满摆幅输出；经过两级反相器提供较大的负载驱动能力；由M700-704以及两级反相器作为其中一个整形电路对差分信号中的VOP进行整形输出，由M705-709以及两级反相器作为另一个整形电路对差分信号中的另一路VON进行整形处理。

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