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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种SONOS读电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118762735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410749485.8，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种SONOS读电路是由刘芳芳设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SONOS读电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种SONOS读电路，包括PMOS晶体管P0～P3、NMOS晶体管N0、N1，反相器INV0、INV1，SONOScell管SN0、SN1，FNPASS选择管FN0、FN1和一比较器；P2、P3的源极与电源电压端相连；P2的栅极、P3的漏极、N0的栅极、N1的漏极与P1的漏极相连，其连接的节点记为VF；P3的栅极、P2的漏极、N0的漏极、N1的栅极与P0的漏极相连，其连接的节点记为VR；P0的源极与INV0的输入端、SN0的漏极相连；INV0的输出端与P0的栅极相连；P1的源极与INV1的输入端、SN1的漏极相连；INV1的输出端与P1的栅极相连；SONOScell管源极与FNPASS选择管漏极相连，FNPASS选择管源极与栅极相连接wl；比较器的正向输入端与VR相连，反向输入端与VF相连，其输出端作为电路的输出端SOUT。本发明电路组成的阵列面积较小，大大降低了产品成本。

本发明授权一种SONOS读电路在权利要求书中公布了：1.一种SONOS读电路，其特征在于，包括：四个PMOS晶体管P0～P3、两个NMOS晶体管N0、N1，两个反相器INV0、INV1，两个SONOScell管SN0、SN1，两个FNPASS选择管FN0、FN1以及一个比较器； PMOS晶体管P2、P3的源极与电源电压端vpwr相连接；PMOS晶体管P2的栅极与PMOS晶体管P3的漏极相连接，其连接的节点记为VF；PMOS晶体管P3的栅极与PMOS晶体管P2的漏极相连接，其连接的节点记为VR； NMOS晶体管N0的漏极与节点VR相连接，栅极与节点VF相连接；NMOS晶体管N1的漏极与节点VF相连接，栅极与节点VR相连接；NMOS晶体管N0与NMOS晶体管N1的源极相连接地； PMOS晶体管P0的源极与反相器INV0的输入端、SONOScell管SN0的漏极相连接；反相器INV0的输出端与PMOS晶体管P0的栅极相连接； PMOS晶体管P1的源极与反相器INV1的输入端、SONOScell管SN1的漏极相连接；反相器INV1的输出端与PMOS晶体管P1的栅极相连接； SONOScell管SN0的源极与FNPASS选择管FN0的漏极相连接，FNPASS选择管FN0的源极与栅极相连接字线wl；SONOScell管SN1的源极与FNPASS选择管FN1的漏极相连接，FNPASS选择管FN1的源极与栅极相连接字线wl；SONOScell管SN0、SN1的栅极接地； 比较器的正向输入端与节点VR相连接，反向输入端与节点VF相连接，其输出端作为电路的输出端SOUT。

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