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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118719178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410774164.3，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法是由郭霞生;马元鹏;章东设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法，属于微流控技术领域。本申请针对现有声表面波微流控芯片中平直型叉指换能器激发的声场振幅横向分布不均匀的问题，提出一种声场横向均匀分布的声表面波微流控芯片的制作方法。具体地，首先构建计算孔径变迹叉指换能器声场分布的模型；进一步地，计算换能器指条加权不同时的声场分布；更进一步地，应用优化算法得到使得近场区域声场分布均匀的加权方式；最后，制作微流腔道并安装在叉指换能器的近场区域。该器件工作区内的声场有很好的横向不变性，且适用于不同压电基底材料和微流腔结构。相比已有器件，采用本申请的声表面波微流控芯片，可有效提升粒子操控的效率和精度。

本发明授权一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种均匀近场的声表面波微流控芯片的制作方法，包括： 设置芯片的关键特征参数，关键特征参数包含压电基底的类型和尺寸、工作区宽度Wwork、叉指换能器的孔径W0、工作频率f和远近场分界距离yg；其中，压电基底的类型和尺寸用于确定芯片的尺寸和基础结构；工作区宽度Wwork用于确定芯片的工作区域尺寸；叉指换能器的孔径W0、指条数量N和工作频率f用于确定叉指换能器的参数；远近场分界距离yg用于划分叉指换能器的远场和近场区域； 根据设置的工作区宽度Wwork和叉指换能器的孔径W0，建立离散序列{Li}，离散序列{Li}表示孔径范围内指条长度的取值范围；并根据离散序列{Li}，计算离散序列{Wi}，离散序列{Wi}表示等效线源长度的取值范围；其中，等效线源对应相邻两个指条重叠部分构成的区域； 以离散序列{Wi}中各数值为线长，计算不同长度等效线源对应的声表面波场，并建立用于离散孔径变迹的平直型叉指换能器的声场预测模型； 构建代价函数，代价函数用于定量评估叉指能换器产生的声表面波场的非均匀性；以离散序列{ln}为变量，离散序列{ln}表示各根指条在孔径范围内的长度，采用优化算法对离散孔径变迹方案进行优化，以使代价函数最小； 根据指条加权方案，在设置的压电基底上制作叉指换能器；制作并在芯片的工作区域固定微流腔通道，得到均匀近场的声表面波微流控芯片； 以离散序列{Wi}中各数值为线长，计算不同长度等效线源对应的声表面波场，计算方法为： 其中，u（x，y）为等效线源对应的声表面波场中空间位置（x，y）处的标量位移振幅；W是线源的长度；i是虚数单位；kx和ky分别为声表面波的波矢量在x方向和y方向的分量，满足： 其中，θ为波矢量方向与x方向夹角，；c（θ）为声表面波沿θ对应的波矢量方向传播的相速度； 构建声场预测模型，包括： 预先计算不同长度线源对应的声表面波场分布； 根据孔径变迹方案，对不同长度线源的声表面波场分布进行延迟和偏移处理； 将经过延迟和偏移处理的不同长度线源的声表面波场分布进行叠加，得到离散孔径变迹的平直型叉指换能器的声场分布； 构建孔径变迹叉指换能器的声场预测模型； 声表面波场分布叠加公式为： 其中，utotal（x，y）为换能器对应的声表面波场中（x，y）处的标量位移振幅，N为换能器的指条数量，i为虚数单位，un（x，y）为第n根指条（n=1，2，…，N−1）和第n+1根指条重叠部分构成的等效线源产生的声表面波场；xn为线源中点到换能器中心轴线的距离；yn为第n根指条和第n+1根指条在y方向位置的平均值。

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