上海华力集成电路制造有限公司蒋昊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件性能退化的测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118818247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410867328.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体器件性能退化的测试方法及系统是由蒋昊设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件性能退化的测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件性能退化的测试方法及系统，属于半导体领域。该半导体器件性能退化的测试方法包括采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移；基于所述第一阈值电压偏移和电压提升速率，以获取时间因子；基于所述第一阈值电压偏移与不同施加电压，以获取电压加速因子。本发明通过采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并进行数据拟合，获取时间因子、电压加速因子和失效时间对数正太分布σ2，从而获取半导体器件的失效时间，大大缩短了半导体器件的HCI和BTI测试时间。
本发明授权半导体器件性能退化的测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件性能退化的测试方法，其特征在于，包括： 采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移； 基于所述第一阈值电压偏移和电压提升速率，以获取时间因子； 基于所述第一阈值电压偏移与不同施加电压，以获取电压加速因子； 获取某一个施加电压下第二阈值电压偏移，计算第二阈值电压偏移的对数正太分布值布σ1，并基于σ1获取失效时间对数正太分布σ2； 基于所述时间因子、电压加速因子和σ2获取半导体器件的失效时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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