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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410880287.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板是由侯杰;徐广源;王充;樊怡翔;张童;李晋闽设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板，属于AlN模板制备技术领域。包括：在衬底正面进形成AlN缓冲层，得到第一初始AlN模板；对第一初始AlN模板进行循环外延生长处理，以在AlN缓冲层的正面形成第二初始AlN模板；对第二初始AlN模板进行循环退火处理，得到制备好的AlN模板。通过设置对第一初始AlN模板进行循环外延生长处理，使得制备好的AlN模板的杂质和缺陷较少，内应力较小；通过对第一初始AlN模板进行逐层原位退火处理，对第二初始AlN模板进行循环退火处理，有利于降低AlN模板的翘曲度，减少AlN模板内部的位错现象，降低AlN模板的位错密度，提高AlN模板的结晶质量。

本发明授权一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板在权利要求书中公布了：1.一种高结晶质量的AlN模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将衬底1置入磁控溅射设备中，对衬底1的正面进行磁控溅射处理，以在衬底1的正面形成AlN缓冲层2，得到第一初始AlN模板； S2，对第一初始AlN模板进行第一次外延生长处理，以在AlN缓冲层2的正面形成第一AlN外延层3，之后进行第一次原位退火处理；其中，第一次外延生长处理通入的反应载气为氢气，第一次原位退火处理通入的保护气体为氢气； S3，对完成第一次原位退火处理的第一初始AlN模板进行第二次外延生长处理，以在第一AlN外延层3的正面形成第二AlN外延层4，之后进行第二次原位退火处理；其中，第二次外延生长处理通入的反应载气为氮气，第二次原位退火处理通入的保护气体为氮气； S4，重复进行至少一次S2和S3来对第一初始AlN模板进行循环外延生长处理，以在AlN缓冲层2的正面形成第二初始AlN模板； S5，对第二初始AlN模板进行第一次退火处理和第一次降温处理；其中，第一次退火处理通入的保护气体为氮气或者氢气； S6，对第一次降温处理后的第二初始AlN模板进行第二次退火处理和第二次降温处理；其中，第二次退火处理通入的保护气体为氢气或者氮气，第二次退火处理通入的保护气体与第一次退火处理通入的保护气体不相同； S7，重复进行至少一次S5和S6来对第二初始AlN模板进行循环退火处理，得到制备好的AlN模板5。

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