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龙图腾网获悉湖南长城银河科技有限公司申请的专利一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118964241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410992379.2，技术领域涉及：G06F13/16；该发明授权一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法是由龚国辉;刘城;刘柯源;伍玉良;王永庆设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法在说明书摘要公布了：一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法，包括：1、将主机与EMIF接口连接，然后将EMIF接口上的多个片选空间CE分别与不同和或相同存储器连接；2、判断自适用配置功能是否启动，否则进入3中；是则进入4中；3、用户根据存储特性进行手动配置多个片选空间CE的参数；4、从自适应配置法和循环遍历法两种方法中择其一对多个片选空间CE的参数进行配置。本发明引入了自适应配置机制，对于三种存储类型分别有不同的配置模式，控制器根据连接的存储类型不同，分别以不同的策略进行参数自动配置，解决了用户需要了解存储特性，然后根据特性与时序手动进行参数配置并不断调试的技术问题，缩短了项目开发时间。

本发明授权一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法在权利要求书中公布了：1.一种EMIF存储控制接口的自适应参数配置方法，其特征在于，具体包括如下步骤： S1、将主机与EMIF存储控制接口连接，然后将EMIF存储控制接口上的多个片选空间CE分别与不同和或相同存储器进行连接； S2、EMIF存储控制接口等待系统解复位后，判断自适用配置功能是否启动，如果否，则进入S3中；如果是，则进入S4中； S3、用户根据存储特性进行手动配置多个片选空间CE的参数； S4、依据用户配置的选择参数从自适应配置法和循环遍历法两种方法中择其一对多个片选空间CE的参数进行配置； 所述S4中的自适应配置法具体如下： S411、EMIF存储控制接口进入空闲模式，并等待使能信号； S412、EMIF存储控制接口接收到是使能信号后，进入到注册模式，在注册模式下，存储器根据EMIF接口使能片选信号与注册使能信号的状态，向EMIF存储控制接口进行存储器注册，注册中需要上报当前片选空间CE所连接的存储器的类型； S413、如果注册失败或者超时，则进入S411中；如果注册成功后，则进入S414中； S414、进入配置模式，EMIF存储控制接口根据存储器响应的注册信息，通过本地配置接口配置片选空间CE中控制寄存器的存储类型域，从而进行相应的存储器类型配置； S415、进入到工作模式，并根据存储类型配置不同进行不同的配置操作。

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