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龙图腾网获悉广西沐邦高科新能源有限公司;江西沐邦高科股份有限公司申请的专利太阳能电池制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411014368.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池制备方法及太阳能电池是由胡朝冰;廖志远;王建文;喻强;王伟设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏发电技术领域，公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，该太阳能电池制备方法包括：提供硅基底；在硅基底正面制备钝化减反层，在硅基底背面制备钝化层；对钝化层进行开槽；在开槽内制备钝化传输结构，钝化传输结构的厚度小于开槽的深度；在钝化传输结构上丝网印刷第一电极，在第一电极所在硅基底一面的相对另一面丝网印刷第二电极；烧结制得太阳能电池。通过先制备钝化减反层与钝化层，再对钝化层进行开槽，通过开槽形成高低落差，对开槽内的钝化传输结构进行保护，保证刻蚀开槽外的钝化传输结构时不会损伤开槽内的钝化传输结构，降低太阳能电池生产不良率。

本发明授权太阳能电池制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括： 提供硅基底，硅基底具有相对的正面与背面； 在所述硅基底正面制备钝化减反层，在所述硅基底背面制备钝化层； 对所述钝化层进行开槽，所述开槽深度直至所述硅基底； 在所述开槽内制备钝化传输结构，所述钝化传输结构的厚度小于所述开槽的深度； 在所述钝化传输结构上丝网印刷第一电极，在所述第一电极所在硅基底一面的相对另一面丝网印刷第二电极； 烧结，制得太阳能电池； 所述在所述开槽内制备钝化传输结构，所述钝化传输结构的厚度小于所述开槽的深度的步骤包括： 在所述硅基底开设有所述开槽的一侧制备介电层，在所述介电层远离所述硅基底的一侧制备导电传输层； 对所述开槽内的所述导电传输层覆盖掩膜； 去除所述开槽外部的导电传输层，或，去除开槽外部的导电传输层和介电层； 去除所述开槽内的所述掩膜； 其中，通过开槽形成高低落差，进而利用开槽结构和掩膜对开槽内的钝化传输结构进行保护，保证刻蚀开槽外的钝化传输结构时不会损伤开槽内的钝化传输结构。

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