浙江创芯集成电路有限公司吕军军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利测试结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411048463.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构及其形成方法是由吕军军;陶然;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种测试结构及其形成方法，其中测试结构包括：衬底；位于衬底上的第一待测器件，第一待测器件具有第一长度尺寸；位于衬底上的若干测试键，相邻测试键之间具有第一间距尺寸，第一长度尺寸大于第一间距尺寸；第一待测器件设置于间隔排布的2个测试键之间；第一待测器件与间隔排布的2个测试键朝向衬底的投影不具有重叠区域。将大尺寸的第一待测器件设置于更大间距尺寸的2个测试键之间，不但避免了第一待测器件与电连接的测试键之间产生交集而发生短接，而且还避免将第一待测器件设置在测试键的上侧或下侧，进而增大测试结构在纵向上的整体尺寸，以及避免将测试结构设置于芯片内部，进而造成芯片的集成度下降。
本发明授权测试结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的第一待测器件，所述第一待测器件沿第一方向具有第一长度尺寸，所述第一方向平行于所述衬底的顶部表面； 位于所述衬底上的若干沿所述第一方向依次排布的测试键，相邻所述测试键之间具有第一间距尺寸，所述第一长度尺寸大于所述第一间距尺寸； 所述第一待测器件设置于间隔排布的2个所述测试键之间，间隔排布的2个所述测试键之间至少具有1个所述测试键，间隔排布的2个所述测试键之间具有第二间距尺寸，所述第二间距尺寸大于所述第一长度尺寸； 所述第一待测器件分别与间隔排布的2个所述测试键电连接； 所述第一待测器件与间隔排布的2个所述测试键在朝向所述衬底的投影不具有重叠区域。
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