江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411072800.4，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种外延片及其制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片及其制备方法，外延片包括依次层叠设置的基底、复合硅铝氮缓冲层以及外延层，复合硅铝氮缓冲层自基底表面向外包括：周期性设置的SiN图形结构层和扩散层；扩散层包括层叠设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层；铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层的界面处形成非均匀相互扩散区，非均匀相互扩散区包括SiN扩散微结构与AlN扩散微结构。本发明提供的外延片能够降低外延片内部应力，提高外延层的晶体质量，改善光电器件性能，提高光电产品良率，节约生产成本。
本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括依次层叠设置的基底、复合硅铝氮缓冲层以及外延层，所述复合硅铝氮缓冲层自所述基底表面向外包括：周期性设置的SiN图形结构层和扩散层； 所述扩散层包括层叠设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层； 所述铝硅氮扩散层和所述硅铝氮扩散层的界面处形成非均匀相互扩散区，所述非均匀相互扩散区包括SiN扩散微结构与AlN扩散微结构； 所述铝硅氮扩散层包括AlN层与所述SiN扩散微结构，所述硅铝氮扩散层包括SiN层与所述AlN扩散微结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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