华中科技大学程晓敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种气体感算一体突触器件及其突触响应和制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119012904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411117456.6,技术领域涉及:H10N70/20;该发明授权一种气体感算一体突触器件及其突触响应和制备方法是由程晓敏;李家琪;赵爽;刘欢;缪向水设计研发完成,并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气体感算一体突触器件及其突触响应和制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供了一种气体感算一体突触器件及其制备方法,属于纳米电子器件技术领域,器件包括:第一功能层、阻挡层、第二功能层、第一金属电极和第二金属电极;第一功能层为重掺杂硅;第二功能层采用CuOx材料,使其存在间隙氧和铜空位形成的缺陷能级;阻挡层增加第二功能层与测试气体的接触面积;第一金属电极和第二金属电极之间施加直流电压扫描,模拟忆阻器阻变行为;第二功能层与测试气体发生反应,实现对测试气体的感知功能;第一金属电极和第二金属电极之间施加恒定电压信号,在气体脉冲环境下,电流响应状态呈现突触响应;本申请能够实现气体信息的原位传感与处理,提高信息处理效率,且气体感算一体器件气体信息推算方法更简单。
本发明授权一种气体感算一体突触器件及其突触响应和制备方法在权利要求书中公布了:1.一种气体感算一体突触器件,其特征在于,包括:第一功能层、阻挡层、第二功能层、第一金属电极和第二金属电极; 第二功能层分为第一部分的第二功能层和第二部分的第二功能层;阻挡层位于第一功能层和第一部分的第二功能层之间,第二金属电极位于第一部分的功能层上方;第二部分的第二功能层位于第一功能层上方,且第一金属电极也位于第一功能层上方; 第一功能层为重掺杂硅,第二功能层采用CuOx材料,使其存在间隙氧和铜空位形成的缺陷能级;阻挡层用于抬高第一部分的第二功能层,以增加第二功能层与测试气体的接触面积;第一金属电极与第一功能层形成欧姆接触;第二金属电极与第二功能层形成欧姆接触;第一金属电极和第二金属电极之间用于施加直流电压扫描,模拟忆阻器阻变行为;第二功能层用于与测试气体发生反应,实现对测试气体的感知功能;第一金属电极和第二金属电极之间用于施加恒定电压信号时,在气体脉冲环境下,电流响应状态呈现突触响应;其中,0.5≤x≤2。
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