南方科技大学温瑞涛获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119411072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411137125.9，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法是由温瑞涛;王涌烽;胡家铖设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法，所述方法包括以下步骤：采用溅射镀膜技术在衬底上制备钨钒氧化物薄膜；对所述钨钒氧化物薄膜进行退火处理，所述退火处理诱导所述钨钒氧化物薄膜的结晶和相分离过程，得到以WO3为基底，生长在所述WO3基底上的V2O5纳米线。本发明仅通过溅射镀膜技术和退火工艺即可制备V2O5纳米线，工艺简单，可大规模生产，在制备过程中不需要催化剂或其它化学试剂，绿色环保。
本发明授权一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于相分离生长V2O5纳米线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 采用溅射镀膜技术在衬底上制备钨钒氧化物薄膜； 对所述钨钒氧化物薄膜进行退火处理，所述退火处理诱导所述钨钒氧化物薄膜的结晶和相分离过程，得到以WO3为基底，生长在WO3基底上的V2O5纳米线； 所述钨钒氧化物薄膜中钨钒的原子个数比为1：（0.2-4）； 所述退火处理的温度为300℃-600℃； 所述退火处理的时间为1h-15h。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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