北京大学吴恒获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学申请的专利存储器的制备方法、存储器、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119156000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411136012.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器的制备方法、存储器、器件及设备是由吴恒;刘煜;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的制备方法、存储器、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构、BL结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度相同，BL结构的掺杂浓度与第一半导体结构的掺杂浓度不同；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第一半导体结构；在BL区域刻蚀第一半导体结构，形成第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用BL结构。本申请可以提高存储器的集成度。
本发明授权存储器的制备方法、存储器、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括：在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、位线BL结构以及第一有源结构，所述第一半导体结构、所述BL结构和所述第一有源结构在BL区域内沿所述第一方向自对准，所述第一半导体结构的掺杂浓度与所述第一有源结构的掺杂浓度相同，所述BL结构的掺杂浓度与所述第一半导体结构的掺杂浓度不同； 基于所述第一有源结构，形成第一存储器； 对所述第一存储器进行倒片并去除所述衬底，以暴露所述第一半导体结构； 在BL区域内刻蚀所述第一半导体结构，以形成第二有源结构； 基于所述第二有源结构，形成第二存储器，其中，所述第一存储器中的第一源漏结构和所述第二存储器中的第二源漏结构共用所述BL结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励