中山大学江灏获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种异质结光电探测器的外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411135884.1，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种异质结光电探测器的外延结构及制备方法是由江灏;彭琢雅;吴勉;吕泽升设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结光电探测器的外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电探测器领域，提供了一种异质结光电探测器的外延结构及制备方法，自下而上包括衬底、界面下层、界面过渡层、界面上层、SiNx原位钝化层和欧姆接触电极；所述欧姆接触电极的阳极与阴极沉积在SiNx原位钝化层表面，或所述欧姆接触电极的阳极与阴极沉积在预先刻蚀掉SiNx原位钝化层的界面上层表面。优点：本发明利用高成膜质量、无空气环境中杂质原子引入的原位生长薄SiNx膜作为钝化层，减少了Ⅲ族氮化物光电探测器的表面缺陷，进而抑制了半导体表面缺陷对光生载流子的俘获。此方法不仅有效改善了因表面缺陷导致的探测器中严重的持续光电导效应及由此带来的响应速度限制，而且显著提高了探测器的光响应稳定性与片上器件暗电流的均匀性。
本发明授权一种异质结光电探测器的外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结光电探测器外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过金属有机物化学气相沉积在衬底上生长界面下层、界面过渡层和界面上层； S2、关闭金属源，将NH3流量F1、Si源流量F2设定为指定值，载气氛围保持为氢气，腔体温度设置为T1，待流量计流量和温度保持稳定； S3、将NH3、Si源通入外延腔体中，制备原位SiNx钝化层，生长时间为t1，对应厚度为d1； S4、生长完成后，关闭Si源，同时保持NH3流量不变，在降温的同时对SiNx钝化层进行退火处理； 所述NH3流量F1满足：0.04molminF10.37molmin； 所述Si源为SiH4，Si源流量F2满足：0.02μmolminF20.36μmolmin，对应Ⅴ族源和Ⅳ族源流量比值在105-107范围内变化； 所述SiNx原位钝化层中x的取值为0.5-1.5。
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