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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411183903.8，技术领域涉及：H10F10/16；该发明授权一种具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法是由李国强;王宣;邓曦;郭建森设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池材料技术领域，为增强太阳光谱利用率，提高太阳电池光电转换效率，公开了一种具有蛾眼微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法。本发明利用MBE自催化生长的方式在具有SiO2层的Si衬底上生长出具有纳米柱结构的薄膜，通过在其表面旋涂PMMA，通过二维材料湿法转移技术将纳米柱结构转移至GaAs和碳纳米管异质结太阳能电池上，制备出具有蛾眼微纳结构抗反射层的太阳能电池。本发明与使用纳米压印技术和光刻技术相比，其操作更便捷，更环保，不需要使用一些有害气体以及危害化学药品进行微纳结构的刻蚀。采用该方法制备的具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs异质结太阳电池其抗反射层使用的材料不受限制，可以显著提高太阳光利用率，从而显著提升器件光电转换效率。

本发明授权一种具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，使用MBE设备在带有SiO2层的Si衬底上自催化生长蛾眼仿生微纳结构纳米柱； 步骤二，在步骤一生长好的纳米柱表面旋涂一层PMMA，进行干燥，放入稀酸或者稀碱中刻蚀除去SiO2层进行剥离； 步骤三，在清洗好的GaAs衬底片上转移一层二维材料薄膜，得到GaAs二维材料异质结太阳能电池； 步骤四，将步骤二中剥离的微纳结构纳米柱薄膜捞起并覆盖在步骤三的GaAs二维材料异质结太阳能电池表面，干燥； 步骤五，将步骤四中的电池放于丙酮中清洗，去除PMMA； 步骤六，在步骤五所得器件上蒸镀背面电极和正面电极，最后得到具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池； 所述GaAs太阳能电池包括自下而上的背面电极、GaAs衬底、空穴传输层、抗反射层和正面电极；所述抗反射层为具有蛾眼仿生微纳结构的纳米柱薄膜； 所述具有蛾眼仿生微纳结构的纳米柱为GaN、InGaN、InN中的一种或多种，纳米柱高度为10-100nm，直径为20-60nm，纳米柱之间间距为5-30nm。

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