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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411179925.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权功率器件是由周宁;曾大杰设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件，同时集成有主和辅助MOSFET，辅助MOSFET作为电流检测传感器。主MOSFET的衬垫包括位于正面的栅极衬垫和主源极衬垫以及位于背面的漏极衬垫。辅助MOSFET和辅助源极衬垫以及和主MOSFET共用栅极衬垫和漏极衬垫。功率器件的版图布局结构包括：呈矩形的有源区。栅极衬垫和辅助源极衬垫的设置区域位于靠近有源区的第一边缘处的有源区的选定区域的顶部，栅极衬垫和辅助源极衬垫之间具有间隔；主源极衬垫位于栅极衬垫和辅助源极衬垫外的有源区的顶部；主源极衬垫的面积大于辅助源极衬垫的面积。辅助MOSFET位于辅助源极衬垫底部的有源区中。本发明能和传感器集成，能提高器件的可靠性以及不会影响功率器件的芯片功能，能使主芯片对应的有源区面积得到保证。

本发明授权功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于：同时集成有主MOSFET和辅助MOSFET，所述辅助MOSFET作为电流检测传感器； 所述主MOSFET包括形成于半导体衬底正面的第一源区和第一栅极结构以及形成于所述半导体衬底背面的第一漏区，所述第一源区连接到由正面金属层组成的主源极衬垫；所述第一栅极连接到由正面金属层组成的栅极衬垫，所述第一漏区连接到由背面金属层组成的漏极衬垫； 所述辅助MOSFET包括形成于所述半导体衬底正面的第二源区和第二栅极结构以及所述第一漏区，所述第二栅极结构连接到所述栅极衬垫，所述第二源区连接到由正面金属层组成的辅助源极衬垫； 功率器件的版图布局结构包括： 呈矩形的有源区； 所述栅极衬垫和所述辅助源极衬垫的设置区域位于靠近所述有源区的第一边缘处的所述有源区的选定区域的顶部，所述栅极衬垫和所述辅助源极衬垫之间具有间隔； 所述主源极衬垫位于所述栅极衬垫和所述辅助源极衬垫外的所述有源区的顶部； 所述主源极衬垫的面积大于所述辅助源极衬垫的面积； 所述辅助MOSFET位于所述辅助源极衬垫底部的所述有源区中； 所述功率器件还同时集成有第一温度传感器和第二温度传感器； 所述主MOSFET还包括形成于所述半导体衬底上的第二导电类型掺杂的体区，所述体区底部形成有第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区由第一导电类型掺杂的所述半导体衬底组成或者由形成于所述半导体衬底顶部的第一导电类型掺杂的第一外延层组成，所述第一漏区形成于所述漂移区的背面； 所述体区和所述漂移区之间形成体二极管； 所述第一温度传感器由位于所述有源区的边缘区域的所述体二极管形成； 所述第二温度传感器由位于所述有源区的中央区域的所述体二极管形成； 所述有源区的一个选定的角落区域为无电路区域； 所述第一温度传感器位于所述无电路区域中，所述功率器件导通时，所述无电路区域没有电流流通；所述第一温度传感器的所述体二极管的所述体区连接到由正面金属层组成的第一阳极衬垫，所述第一温度传感器的阴极衬垫采用所述漏极衬垫； 所述第二温度传感器位于所述有源区的中央区域的选定位置，所述第二温度传感器的选定位置处的所述体区的顶部连接到由正面金属层组成的第一金属块，所述第一金属块通过第一金属引线连接到第二阳极衬垫，所述第二温度传感器的阴极衬垫采用所述漏极衬垫； 所述第二阳极衬垫的设置区域位于靠近所述有源区的第一边缘处的所述有源区的选定区域的顶部，所述第二阳极衬垫和所述栅极衬垫以及所述辅助源极衬垫之间具有间隔； 所述主源极衬垫的覆盖区域位于所述无电路区域、所述第二阳极衬垫、所述第一金属块和所述第一金属引线的外部； 所述功率器件还同时集成有限流源漏导通电阻传感器； 所述限流源漏导通电阻传感器位于所述有源区的中央区域的选定位置，所述限流源漏导通电阻传感器的形成区域中的所述漂移区的表面暴露且所述限流源漏导通电阻传感器的形成区域中的所述漂移区和周侧所述体区隔离； 在所述限流源漏导通电阻传感器的形成区域中的所述漂移区的顶部连接到由正面金属层组成的第二金属块； 所述第二金属块通过第二金属引线连接到第一电阻衬垫，所述限流源漏导通电阻传感器的第二电阻衬垫采用所述漏极衬垫； 所述第一电阻衬垫的设置区域位于靠近所述有源区的第一边缘处的所述有源区的选定区域的顶部，所述第一电阻衬垫、所述第二阳极衬垫、所述栅极衬垫以及所述辅助源极衬垫之间具有间隔； 所述第一金属块和所述第二金属块之间具有间隔； 所述主源极衬垫的覆盖区域还位于所述第一电阻衬垫和所述第二金属引线的外部； 所述无电路区域对应的角落区域的第一顶点为所述第一边缘的第一端点。

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