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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利双色LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411209530.7，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权双色LED及其制备方法是由王阳;王国斌设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本双色LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了双色LED及其制备方法，该方法包括：在衬底表面依次层叠形成N型层和掩膜层；去除部分掩膜层，以使掩膜层形成露出N型层的多个间隔的第一空白区，在每个第一空白区内形成纳米柱；在每个纳米柱顶面形成第一发光结构，并形成覆盖第一发光结构侧面的保护层；在每个纳米柱的至少部分侧面形成第二发光结构；在掩膜层表面形成覆盖第二发光结构表面的导电层；形成N电极、与每个第一发光结构对应的第一P电极以及与每个第二发光结构对应的第二P电极；其中，第一P电极设置于每个第一发光结构上，所述第二P电极设置于导电层上，N电极设置于N型层上。本发明实现纳米柱双色LED的集成；减少了发光结构之间的光学串扰；实现互联电极控制纳米柱。

本发明授权双色LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双色LED的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底（1），在所述衬底（1）表面依次层叠形成N型层（2）和掩膜层（3）； 去除部分掩膜层（3），以使所述掩膜层（3）形成露出所述N型层（2）的多个间隔的第一空白区，在每个所述第一空白区内形成纳米柱（4）； 在每个所述纳米柱（4）顶面形成第一发光结构（5），并形成覆盖所述第一发光结构（5）侧面的保护层（6）；其中，所述形成覆盖所述第一发光结构（5）侧面的保护层（6）包括：在所述第一发光结构（5）顶面形成延伸至对应所述纳米柱（4）侧面的保护层（6）；以预设刻蚀角度刻蚀去除部分保护层（6），露出所述纳米柱（4）至少部分侧面，以使剩余保护层（6）至少覆盖所述第一发光结构（5）的顶面、侧面； 在每个所述纳米柱（4）的至少部分侧面形成第二发光结构（7）；其中，所述第一发光结构（5）和第二发光结构（7）发光颜色不同； 在所述掩膜层（3）表面形成覆盖所述第二发光结构（7）表面的导电层（8）； 形成N电极（12）、与每个所述第一发光结构（5）对应的第一P电极（10）以及与每个所述第二发光结构（7）对应的第二P电极（11）； 其中，所述第一P电极（10）设置于每个所述第一发光结构（5）上，所述第二P电极（11）设置于所述导电层（8）上，所述N电极（12）设置于所述N型层（2）上。

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