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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411204340.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件是由曾大杰设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件，一部分沟槽结构作为栅极沟槽结构以及另一部分沟槽结构作为源极沟槽结构。栅极沟槽结构的栅极导电材料层连接到由正面金属层组成的栅极。源极沟槽结构的源极导电材料层连接到由正面金属层组成的源极。各沟槽结构都穿过沟道区。在沟道区的表面形成有和沟槽结构自对准的源区。在沟道区的底部形成有漂移区。在漂移区的底部形成有集电区。IGBT器件处于导通状态时栅源电压使源极沟槽结构对第二导电类型载流子的吸引力大于栅极沟槽结构对第二导电类型载流子的吸引力，使第二导电类型电流的路径更靠近源极沟槽结构。本发明能防止器件开通过程中第二导电类型电流增加导致的栅极电容减少，能提高电流随时间的变化速率的可控性。

本发明授权IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：多个平行排列的沟槽结构；一部分所述沟槽结构作为栅极沟槽结构以及另一部分所述沟槽结构作为源极沟槽结构； 所述栅极沟槽结构包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层； 所述源极沟槽结构包括源极沟槽、形成于所述源极沟槽内侧表面的源介质层和填充于所述源极沟槽中的源极导电材料层； 所述栅极导电材料层连接到由正面金属层组成的栅极； 所述源极导电材料层连接到由正面金属层组成的源极； 各所述沟槽结构都穿过第二导电类型掺杂的沟道区；被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成第一导电类型的导电沟道； 在所述沟道区的表面形成有和所述沟槽结构自对准的第一导电类型重掺杂的源区； 在所述沟道区的底部形成有第一导电类型掺杂的漂移区； 在所述漂移区的底部形成有第二导电类型重掺杂的集电区； IGBT器件处于导通状态时栅源电压的绝对值大于阈值电压的绝对值且同时具有第一导电类型电流和第二导电类型电流，所述第二导电类型电流从所述集电区并经过所述漂移区和所述沟道区流向所述源区；所述栅源电压使所述源极沟槽结构对第二导电类型载流子的吸引力大于所述栅极沟槽结构对所述第二导电类型载流子的吸引力，从而使所述第二导电类型电流的路径靠近所述源极沟槽结构以及远离所述栅极沟槽结构； 所述栅介质层和所述源介质层的材料相同； 所述源极沟槽底部和侧壁的所述源介质层的厚度均比所述栅极沟槽底部和侧壁的所述栅介质层的厚度薄。

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