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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231962.8，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件是由郑锦坚;寻飞林;李晓琴;曹军;黄军;张会康;蔡鑫;蓝家彬;张江勇;邓和清;李水清设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述p型半导体与量子阱之间设置有第一载流子泄漏抑制层和第二载流子泄漏抑制层，且所述第一载流子泄漏抑制层位于所述第二载流子泄漏抑制层下方，所述第一载流子泄漏抑制层和第二载流子泄漏抑制层均具有电子有效质量分布特性和介电常数分布特性。本发明通过调控第一载流子泄漏抑制层与量子阱的界面以及第二载流子泄漏抑制层、第一载流子泄漏抑制层与p型半导体界面的电子有效质量和介电常数的界面变化角度和界面均性，多重界面调制界面能带和界面带阶，提升电子溢流势垒，降低电子溢流至p型半导体的几率。

本发明授权一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，其特征在于，所述p型半导体与量子阱之间设置有载流子泄漏抑制层，所述载流子泄漏抑制层包括第一载流子泄漏抑制层和第二载流子泄漏抑制层，且所述第一载流子泄漏抑制层位于所述第二载流子泄漏抑制层下方，所述第一载流子泄漏抑制层和第二载流子泄漏抑制层均具有电子有效质量分布特性和介电常数分布特性； 所述第一载流子泄漏抑制层的电子有效质量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为α，所述第一载流子泄漏抑制层的介电常数的谷值位置往量子阱方向的上升角度为γ，其中：15°≤γ≤α≤90°； 所述第一载流子泄漏抑制层的电子有效质量的峰值位置往p型半导体方向的下降角度为δ，所述第一载流子泄漏抑制层的介电常数的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为其中： 所述第二载流子泄漏抑制层的电子有效质量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为μ，所述第二载流子泄漏抑制层的介电常数的谷值位置往量子阱方向的上升角度为ρ，其中：10°≤ρ≤μ≤90°； 所述第二载流子泄漏抑制层的电子有效质量的峰值位置往p型半导体方向的下降角度为ε，所述第二载流子泄漏抑制层的介电常数的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为κ，其中：3°≤κ≤ε≤90°。

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