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龙图腾网获悉上海科技大学;张江国家实验室申请的专利一种建立低温CMOS集约模型的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119203886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411249778.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种建立低温CMOS集约模型的方法是由寇煦丰;何畅;王泽伟;唐志东设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种建立低温CMOS集约模型的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。

本发明授权一种建立低温CMOS集约模型的方法在权利要求书中公布了：1.一种建立低温CMOS集约模型的方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 设计多个低温测试样品，所述低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸； 依次选择同一尺寸下的多个所述测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒； 对所述标准测试芯粒、所述全局失配芯粒和所述低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；所述测试包括低温直流测试、低温射频测试以及低温后道器件测试； 依据所述参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合所述低温本征模型、所述低温射频模型与所述低温后道模型，建立低温CMOS集约模型； 在获得所述低温直流测试数据后，提取所述测试样品的迁移率、亚阈值摆幅以及阈值电压本征参数，基于BSIM4典型模型中的本征参数数值，通过如下公式进行低温拟合，获得低温典型模型： 其中，Cryo_A_typical为低温典型模型下参数A的数值，A为迁移率、亚阈值摆幅或阈值电压，a0、aL、aW、aP为拟合系数，L为所述测试样品的沟道长度，W为所述测试样品的栅极宽度，fT为BSIM4典型模型中对应的迁移率、亚阈值摆幅或阈值电压的计算公式，T为温度； 基于全局失配芯粒参数的方差σmisT，获得全局工艺浮动随机变量的失配参数sigmaT:基于局部失配芯粒参数的方差σvarT，获得局部工艺失配随机变量失配参数betaT:其中，σmis298K为温度为298K时，全局失配芯粒参数的方差，σvar298K为温度为298K时，局部失配芯粒参数的方差，T为温度； 调整所述全局工艺浮动的失配参数sigmaT与所述局部失配随机变量失配参数betaT在低温下的权重，通过蒙特卡洛仿真验证，建立低温统计模型： Cryo_A＝Cryo_A_Typical+1+sigmaT*Amis+1+betaT*Avar； 其中，Cryo_A为低温统计模型下参数A的数值，A为迁移率、亚阈值摆幅或阈值电压，Amis为原有常温模型的全局失配参数，Avar为原有常温模型的局部失配参数，T为温度；结合所述低温典型模型与所述低温统计模型中的公式，建立低温本征模型； 基于所述低温直流测试的器件模型，在外围增加额外的子电路以覆盖高频范围内的特性，分析由器件版图引起的寄生电阻和电容的温度特性，采用经验二阶多项式，修正BSIM4典型模型中涉及到温度的温度系数，修正公式如下： Teff＝A×T-2982+B×T–298+1； 其中，Teff为节点电阻的温度修正相关性，A和B为与半导体器件材料相关的修正系数，T为温度；将修正公式整合进BSIM4典型模型中的常温射频模型，重新建立寄生电容电阻方程，建立低温射频模型； 所述低温后道模型的建立方法包括：基于后道互联金属层在不同温度下的电学特性，进行后道互连线测试，统计后道互连线在不同温度下的电学特性，通过二次多项式拟合所述电学特性随温度变化的方程式，建立低温后道模型。

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