南京大学蒲殷获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种选择性激发的半位错双光学微腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119126454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411262226.9，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权一种选择性激发的半位错双光学微腔是由蒲殷;梁力;徐敏韩;刘洁设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选择性激发的半位错双光学微腔在说明书摘要公布了：本发明公开了一种选择性激发的半位错双光学微腔，包括铁氧体圆柱半位错阵列，平行板波导和电磁吸收材料。所述铁氧体圆柱半位错阵列形成方法如下：首先用铁氧体圆柱按矩形点阵排列形成光子晶体，光子晶体分为上下两个子点阵。然后沿上子点阵中线嵌入半列铁氧体圆柱，最后调整上下两个子点阵交界面处的圆柱位置得到两个半位错微腔。半位错阵列放置于平行板波导之间；四个边界均覆盖电磁吸收材料；外置磁场方向垂直于阵列平面。该选择性激发的双光学微腔通过外置磁场打破时间反演对称性来实现镜面对称结构中的选择性激发。本发明提出的半位错双光学微腔选择性激发机制具有原理简单、结构紧凑、激发比高、电磁损耗小、抗干扰性强等优点。
本发明授权一种选择性激发的半位错双光学微腔在权利要求书中公布了：1.一种选择性激发的半位错双光学微腔，其特征在于，包括铁氧体圆柱半位错阵列、平行板波导和电磁吸收材料，所述铁氧体圆柱半位错阵列形成方法如下：首先用铁氧体圆柱按矩形点阵排列形成光子晶体，光子晶体分为上下两个子点阵；然后沿上子点阵中线嵌入半列铁氧体圆柱，嵌入的半列铁氧体圆柱对上子点阵中线两侧的铁氧体圆柱挤压导致两侧圆柱分别向左右方向移动；与此同时，上子点阵和下子点阵交界处的铁氧体圆柱因挤压而产生晶格位错；根据挤压形变对交界处铁氧体圆柱位置进行调整得到一对位于上下子点阵交界处的半位错微腔；由上下子点阵共同形成的半位错阵列放置于平行板波导之间；四个边界均覆盖电磁吸收材料；外置磁场方向垂直于阵列平面；通过调整磁场的方向来选择性激发单个光学微腔。
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