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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411269508.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件是由阚宏柱;郑锦坚;黄军;陈婉君;李水清;张江勇;寻飞林;邓和清;蔡鑫;刘紫涵;李晓琴;曹军设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件。该具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，其特征在于，所述p型半导体与量子阱之间具有二维空穴注入层和电子阻挡层；该具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件，通过调控二维空穴注入层、电子阻挡层与p型半导体及量子阱之间界面的电子亲和能和击穿场强的界面变化角度和界面均匀性，降低二维空穴注入层与量子阱界面的空穴注入势垒和提升二维空穴注入层与电子阻挡层界面的电子溢流势垒，提升空穴注入量子阱的效率，从而提升半导体发光元件的光电转换效率WPE。

本发明授权一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，其特征在于，所述p型半导体与量子阱之间具有二维空穴注入层和电子阻挡层；所述二维空穴注入层的电子亲和能的峰值位置往量子阱方向的下降角度为α，所述二维空穴注入层的电子亲和能的峰值位置往p型半导体方向的下降角度为β，所述电子阻挡层的电子亲和能的谷值位置往量子阱方向的上升角度为γ，所述电子阻挡层的电子亲和能的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为θ，其中：20°≤γ≤β≤α≤θ≤90°，角度为沿曲线的切线倾斜角； 所述二维空穴注入层的禁带宽度的谷值位置往量子阱方向的上升角度为δ，所述二维空穴注入层的禁带宽度的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为σ，所述电子阻挡层的禁带宽度的峰值位置往量子阱方向的下降角度为φ，所述电子阻挡层的禁带宽度的峰值位置往p型半导体方向的下降角度为ψ，其中：10°≤φ≤σ≤δ≤ψ≤90°。

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